半导体巨头押注氮化镓芯片 有望在数据中心领域大幅放量

　　据行业媒体报道，欧洲芯片制造商英飞凌押注下一代功率半导体，用于从超高速手机充电器到电动汽车的各种领域，以求在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到 2027 年，氮化镓芯片市场将以每年 56% 的速度增长。

　　Yole 预测，GaN 射频器件市场规模将从 2020 年的 8.91 亿美元增长到 2026 年 24 亿美元， 复合年均增长率为 18%。 GaN 功率器件市场规模将从 2020 年的 0.46 亿美元增长至 2026 年 11 亿美元，复合年均增长率为 70%。机构分析指出，英飞凌收购 GaN Systems 一方面体现了 GaN 在汽车、数据中心、工业等应用领域的未来发展前景，另一方面也预示着产业链竞争或将进入整合阶段。

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　　赛微电子GaN 业务团队在材料和器件上均实现了技术突破，在 GaN 外延片方面，公司已具备 6-8 英寸 GaN 外延材料生长能力且技术成熟；在 GaN 器件设计方面，公司在技术、应用及需求方面也进行了迭代并实现销售。

　　新洁能650V/190mohm E-Mode GaN HEMT 产品开发完成，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200V GaN 产品开发中。

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