半导体巨头英飞凌重金押注！氮化镓未来市场规模望超千亿产业链雷火竞技受益上市公司梳理

　　以8.3亿美元现金（57亿人民币）收购氮化镓全球技术领导者GaN Systems的产能。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以

　　GaN是第三代半导体材料的典型代表，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，国家“十四五”研发计划明确将大力支持第三代半导体产业的发展。国联证券分析，英飞凌收购GaN Systems一方面体现了GaN在汽车、数据中心、工业等应用领域的未来发展前景，另一方面也预示着产业链竞争或将进入整合阶段。

　　氮化镓目前与新能源汽车、光伏、5G、消费快充等下游领域深度绑定。2017年-2021年，氮化镓市场规模从78.7亿元提高至358.3亿元，年复合增长率40.1%。头豹研究院指出，随着氮化镓在新能源汽车应用渗透率提升，及在垃圾处理领域等应用的拓展，预计到2026年氮化镓市场规模将增长至1029.7亿元，年复合增长率27.7%。

　　氮化镓产业链上游为衬底和外延，中游为器件制造商。碳化硅衬底+氮化镓外延层可制成射频器件，碳化硅基氮化镓射频器件可应用于5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天等军事/民用领域；硅衬底+氮化镓外延层可制成功率器件，硅基氮化镓功率器件可在大功率快充充电器、新能源车、数据中心等领域实现快速渗透；蓝宝石/氮化镓衬底+氮化镓外延层可制成光电器件，氮化镓光电器件在MiniLED、MicroLED、传统LED照明领域应用优势突出。

　　衬底材料中，碳化硅衬底与氮化镓器件匹配度高、性能好、且成本相对较低，受到广泛应用。全球碳化硅衬底市场集中度高，美国企业CREE和II-VI集团占据约60%的市场份额，天岳先进、天科合达等中国本土企业合计市占率仅10%左右。外延片材料方面，苏州晶湛、聚能晶源、聚灿光电是中国生产制造氮化镓外延片的代表企业。

　　氮化镓器件制造方面，雷火竞技雷火竞技IDM模式的代表厂商有三安光电、英诺赛科、士兰微电子、苏州能讯、江苏能华、大连芯冠科技等公司，Fabless厂商主要有华为海思、安谱隆等，同时海威华芯和三安集成可提供GaN 器件代工服务（Foundry模式）雷火竞技雷火竞技。

　　业内人士指出，氮化镓功率器件技术在快充领域最为成熟，在数据中心、工业领域也已经逐步开始使用，技术相对比较成熟。根据天风证券的测算雷火竞技，若全球采用硅芯片器件的数据中心都升级为氮化镓功率芯片器件，将减少30%-40%的能源浪费。

　　氮化镓器件用于新能源汽车的车载充电器、DC-DC转换器等领域时，可在节能70%的同时使充电效率达到98%，增加5%续航，目前已有丰田、宝马等多家汽车厂商入局氮化镓领域。据Yole预测，车用GaN将从2021年的530万美元增长到2027年的3.09亿美元，CAGR高达97%。

　　上市公司方面，除了上述的天岳先进、聚灿光电、三安光电、士兰微外，另据财联社梳理，富满微、金溢科技、利亚德、北方华创、扬杰科技、赛微电子、华灿光电、新洁能、天箭科技、易事特、台基股份、兆驰股份也在氮化镓领域有相关业务布局，具体情况如下：