p半雷火竞技导体与n半导体的区别？

　　半导体可以根据掺杂剂的种类进行分类。完全不含任何杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体（intrinsic semiconductor）；而根据掺杂元素的不同我们可以分为n型或p型半导体。

　　硅元素和锗元素位于第四主族，最外层有4个电子，结构稳定，是理想的半导体材料。我们把最外层具有5个电子的第五主族元素，如磷（P）、砷（As）或锑（Sb）作为杂质掺杂到硅中，即可制成n型半导体。第五主族元素中的5个电子的其中4个和硅结合，剩余的一个即可自由移动成为自由电子，而这个电子就是n型半导体的载流子，如图所示。

　　同理，把最外层具有3个电子的第三主族元素，如硼（B）、镓（Ga）或铟（In）作为杂质掺杂到硅中，即可制成p型半导体。第三主族元素的3个电子和硅的3个电子结合，其中一个价电子将不足以使硅和硼键合，从而产生了缺少电子的空穴，这个空穴就是p型半导体的载流子，如图所示。

　　其中 “n” 代表负电，取自英文negative的首字母。 “p” 表示正电的意思，取自英文positive的首字母。

　　P型半导体参杂价电子为3的元素，一般为硼。因为硼的价电子比硅少一个，所以在共价键中少了一个电子，留下了空穴。空穴会吸引自由电子过来“入住”，所以参与导电的是空穴。

　　N型半导体参杂价电子为5的元素，一般为砷。因为砷的价电子比硅多一个，所以在N型半导体中多了一个自由电子。自由电子在电场作用下会“四处移动”，所以参与导电的是自由电子。

　　物理学规定空穴带正电，电子带负电。根据英文positive和negative和某型半导体中多子的电性（主要参与导电的叫多子），取为P和N型半导体。

　　单晶硅导电性弱，但其电导率随温度的升高而增加。超纯的单晶硅书本征半导体，不导电。

　　N型半导体是向Si掺VA族元素（eg. P，As，Sb），电子是其导电的主要载流子。杂原子与Si成键后，五个电子中会有一个电子不受共价键束缚，形成自由电子。其导电性是由于自由电子。

　　P型半导体是向Si掺IIIA族元素（B，In），空穴是其导电的主要载流子。与Si形成共价键结构时，外围只有三个电子，比Si少一个电子而留下了一个空却，即空穴。当空穴被其他邻近的电子补上时，补位的电子原先的位置留下新的空穴，这个空穴的转移可视为正电荷的运动，成为能够导电的载流子。

　　以下是我的一些想法啦，希望能对同学有帮助。（为了方便理解，我就用大白话说了哈）

　　雷火竞技

　　P和n型半导体，其实就是在本征半导体Si中掺东西，如果掺的是5价元素的，比如砷啊，磷啊这些，那么这就是n型，如果掺的3价的，比如说硼，那就是P型。

　　对于P型半导体，因为原来没掺杂的时候，Si它是4价，就可以想成，它有4个洞，当我们把一个3价的半导体，比如说硼掺杂进去，它会把这个硅给替换掉，硼是带3个电子，4个洞但只填了3个，所以还多了个空的洞，所以P型半导体的多子就是空穴，少子呢就是电子了。而空穴被负电中心束缚，不能自由运动，但是这个束缚能力很弱的，加个小能量，空穴就能自己跑了，然后成导电的空穴了。

　　而这个硼替代了硅之后，就成了固定不动的负电中心，也就是我们说的受主离子，它带负电。为啥带负电呢，为了方便记忆，你可以想成因为多子是空穴，是正电的雷火竞技，所以中间这个负电中心带反电性雷火竞技，也就是负电。

　　那么对n型，给它掺杂5价的，把硅给替换了，它的电子填满4个洞，还多了个电子没有洞能填了，所以多子是电子，少子是空穴。那5价的把硅替换，成了固定不动的的正电中心，也就是施主离子，带正电。电子也是是正电中心束缚，不能运动，但是正电中心对它的束缚太弱了，给个小能量，电子也能跑了，然后就成自由电子啦。

　　然后再到了后面的pn结，内建电场，可以想啊，N这边正施主，P那边负受主，所以内建电场从N指向P。

　　本征半导体掺杂的区别，p是positive，主要杂质是3价元素；n是negative，主要杂志是5价元素。