雷火竞技谈半导体设备谈我对东微半导体的理解（下）

　　我国研发生产MOS和IGBT的上市公司有很多家，每一家都自吹自己的产品已达国际先进水平，以IGBT芯片为例，基本都是国际第六代或第七代技术，但实际上国内应用基本以进口品为主，个人认为这些公司的自吹水分很重，只能根据个人的认知来判断谁是国内技术领先者。这些国内MOS和IGBT公司中，闻泰科技的功率半体业务是并购了荷兰的安世半导体得来，不是实际的国内本土企业；时代电气是做功率半导体模块的，其IGBT芯片一方面依靠进口，另一方面时代2008年并购了一家英国功率半导体公司，通过控股子公司引入功率半导体技术，时代电气的IGBT芯片也称不上国内本土技术。我个人根据自己的认知判断，东微是国内高压超级结MOS行业技术领先者，斯达是国内IGBT上市公司中的技术领先者，东微的TGBT技术可以比肩国内最先进技术水平。从几家上市公司招股书上所罗列的MOS或IGBT芯片性能参数的试验数据与国际先进产品对比看，似乎都挺好，但我不太敢相信。我只能从产品的销售单价来判断，东微的MOS平均单价比同行新洁能高出很多，这是东微MOS产品功率相对较高，但工艺也较复杂的表现，所以东微早期产品毛利率反而不如新洁能高。我查看了数家IGBT公司的招股书及财报，没有一家公布其IGBT芯片的销售单价，唯有东微在2021年度财报中公布了其IGBT芯片的销售单价为7.84元/个。在斯达半导的招股书中，公布了其进口IGBT芯片的单价，2017年为7.82元/个，2018年为7.63元/个，2019年上半年为8.53元/个， 主要是从英飞凌进口；宏微科技进口IGBT和FRED芯片制作IGBT模块，2018-2020年进口芯片的平均单价大约在3.8-4.8元之间，IGBT芯片单价远高于FRED芯片（大约在2元/个左右），主要从英飞凌进口。新洁能没有公布其IGBT芯片的销售单价，2021年其MOS和IGBT芯片平均销售单价为0.61元/个（IGBT占比较低），2022年其MOS和IGBT芯片的平均销售单价为0.94元/个（IGBT占比有所提高），产吕类型相同的东微半导2021年MOS和IGBT芯片销售平均单价为2.84元/个，2022年为4.59元/个，东微的产品销售单价远远高于新洁能。从产品销售单价可以大致反映出，东微的产品定位高于新洁能；东微的IGBT芯片销售单价与斯达半导进口的英飞凌IGBT芯片单价基本相当，可视为同等次产品。上述对比不是很精确，只能算是大致的判断。

　　产品的性能参数和产品的质量是决定产品价格的主要因素，也大致反映了产品的市场定位。电子元件的性能参数很容易获取，生产方和多数用户都有试验台，上试验台试验就得出数据，但产品质量或者产品的可靠性不是一时就能得出来的，要通过很长时间的市场应用，慢慢被市场所接受认可，从非关键性行业向关键性行业推广，比喻MOS和IGBT芯片从小家电使用向汽车、火车行业推广，新市场进入者很难一步到位就能直接进入高端应用市场。从斯达、新洁能的IGBT芯片推广使用可以大致判断东微的IGBT芯片未来的发展之路。斯达是2012年开始量产第一代平面NPT型IGBT芯片，2016年量产国际第四代技术IGBT芯片，2020年量产国际第六代技术IGBT芯片，2022年量产国际第七代技术IGBT芯片。斯达的IGBT芯片推广是通过自产IGBT模块的进口替代完成，是一个逐步增长的过程。而新洁能是2019年下半年量产其沟槽栅场截止型IGBT芯片，公司未标注是国际技术第几代产品，我个人认为应该是国际第六代以前的技术（2016年斯达的IGBT也是沟槽栅场截止型）。新洁能的IGBT放量很迅速，2020年IGBT营收1279万，2021年IGBT营收8151万,增长529.44%，2022年IGBT销售收入40300万，同比增长398.22%，比斯达的IGBT芯片放量快很多。东微的IGBT（TGBT）芯片技术有别于国际主流的IGBT芯片各代技术，只能说是可以比肩国际第七代技术。东微的TGBT是2021年上半年量产的，当年已开发出22年型号，营收568万，2022年末已开发出160个型号，当年产生营收4461万，增长685.21%。新洁能只公布MOS和IGBT芯片合计产品型号，2022年共计2000多个，少于东微的产品型号合计数2196个，新洁能未单独公布IGBT芯片型号数量。斯达半导2019年末共有IGBT芯片300多个型号，2022年末共有IGBT芯片600多个型号。斯达从2012年量产第一代IGBT芯片，已有多代产品，但IGBT芯片型号合计600多个，型号开发不算多，我个人认为这与斯达半导是以模块为主打产品有关，也就是只开发自用产品，不对外销售IGBT芯片。这两年IGBT不管是芯片还是模块，国内企业增长都非常迅速，这主要是受新能源的暴发性增长有关系，新能源增长推动了下游的需求增长，而且下游集中于中国企业雷火竞技，产能增长很快，迅速抢占了全球市场，但IGBT芯片产能主要集中于欧美日，产能扩张相对有限，导致了短期的供不应求局面，中国的IGBT芯片企业借机抢占中低端市场，为未来向中高端市场渗透提供了大的发展契机。

　　高压超级结MOS与IGBT的功能很相似，在很多应用场景可以互通，即在电压不太高但频率较高时，优选高压超级结MOS，所以在新能源领域，高压超级结MOS也得到了广阔的应用。东微在国内高压超级结技术方面是具有领先的地位，东微将借新能源大发展的东风，助推两大主导产品实现快速的进口替代。

　　我国在高压超级结MOS和IGBT的下游应用中发展迅速，逆变器行业已由中国企业统领，变频器行业中国企业的市场占比在不断地提高，东微的客户A已成为全球最大的逆变器企业，中国这些高压超级结MOS和IGBT应用企业的不断壮大，将为中国的高压超级结MOS和IGBT进口替代提供强力保障。

　　我去年11月曾在130多元买了一些普冉，也因此对行业做些了解，我国存储芯片与外国巨头的差距很远，进口替代的路很难。普冉与兆易是同行，兆易比普冉优势较大，兆易是16年上市的，估值很高100多倍，在更艰难路上过来的兆易这几年利润也增长了十来倍，所以在普冉上涨约20%后我换成了东微，东微的估值很低半导体设备，其发展潜力不比16年的兆易差。

　　去年11月还同时买入罗卜科和奧浦迈，前成本约45元，后成本约103元，今年年季报前，分析发现奥一季报不行，在有10%盈利时减奥加东微。罗卜是为申深新股配市值用的，本是风险投资博铜电镀设备成功，却没想到其它题材促大幅上涨，今年新股已无申购价值，所以在罗盈利约25%时也用罗换了东微，目前看罗换东微很不合算。

　　我去年11月曾在130多元买了一些普冉，也因此对行业做些了解，我国存储芯片与外国巨头的差距很远，进口替代的路很难。普冉与兆易是同行，兆易比普冉优势较大，兆易是16年上市的，估值很高100多倍，在更艰难路上过来的兆易这几年利润也增长了十来倍，所以在普冉上涨约20%后我换成了东微，东微的估值很低，其发展潜力不比16年的兆易差。

　　重融资，轻投资，赚钱效应极差雷火竞技。在“投融资改革协同推进，为居民资产配置创造协调的市场环境和市场生态”没有取得实效前，大盘整体大平衡，追涨杀跌，杀白马，量化短线交易是常态，市场有限资金只能在没有沉重套牢盘、政策重点支持、预期特别好的行业板块中寻求结构性牛市机会。如数字经济（重点AI、人形机器人)高科技高成长好股。AI核心在算力。决定算力的主要是AI芯片（重点光芯片）、高端光模块、光器件、激光晶体、光学元件、超算等。

　　风险提示：雪球里任何用户或者嘉宾的发言，都有其特定立场，投资决策需要建立在独立思考之上雷火竞技