雷火竞技半导体设备半导体有什么好处？为什么IC（集成电路）要制作在上？

　　雷火竞技IC 指集成电路，做在半导体上是因为半导体是最适合实现晶体管的材料，而晶体管正是现在绝大多数电路的核心器件。

　　物理课上大家都听过麦克斯韦方程预言了电磁波的存在，然后赫兹的实验证明了电磁波存在，最后马可尼实现了无线电通信。最初的无线电接收机使用的是一类称为“检波器”的装置，然而检波器作为接收机的性能是非常糟糕的。首先它的频率响应很难控制，导致各种乱七八糟的干扰信号都会被触发检波器；另一方面它对信号强度的要求也很高，导致发射端的功率必须非常大。更糟的是当时的发射设备也非常简陋，只有火花塞之类的装置，这种设备只能发送类似方波的信号，而学过信号与系统的都知道方波的频谱有多宽……所以当时的无线电只能通过莫尔斯码交流雷火竞技，调频调幅什么的都是天方夜谭。为了解决这些问题，人们想了很多的方法，但是除了通过LC谐振电路实现了大功率正弦发生器之外，别的进展都不大。随着这一项改进，到了1907年，人们终于第一次成功实现了AM广播。

　　然而1907年最重要的进展并不是AM广播，也不是同年发现的LED，而是真空三极管的发明，这个在灯泡的表亲构成了将来所有电路的基础。真空三极管的重要性在于这是第一个能够实现放大电路的器件。有了放大电路的加入使得无线通信对于发射机功率的要求一下降低了好几个数量级，同时通信距离也大大增加了。不过事情当然没有这么简单，线年Armstrong （通信电路领域的祖师爷）发明再生接收机之前没有人意识到这个器件的威力。到了1917年Armstrong 终于通过正反馈实现了有实际用途的增益，并在此基础上完成了超外差式接收机，直到今天相当多的RF接收机依然在使用这一结构。

　　为什么说三极管是放大电路的基础？中学电路三巨头：电阻、电容、电感都是二端器件，输入端输出端无法分开，必须共享负载。单纯使用这些元件只能组合出分压或是分流电路，而无法放大一个信号。而有了三极管，输出端与输入端得以分开，可以通过输入端控制输出端信号。再给输入端和输出端分配不同大小的负载，就可以实现大于1的增益。

　　有了电子管，无线电终于得以真正的实用化。但是接下来，另一项需求将电路由真空管时代推向了固体电路时代——那就是计算机。

　　电路领域大致可以分为两大块，一是通信（发射机、接收机），一是计算（处理器、寄存器）。大概到了二战的时代，电子管基本上已经可以满足当时的通信需求了。基于电子管的无线电设备虽然昂贵娇气，但是毕竟消耗量不大（Armstrong的超外差接收机只需要5个电子管），所以大家用着也没觉得有什么问题。然而二战期间计算需求急剧增加，传统的机械计算机已经不堪重负，电子计算机的需求异常迫切。接下来大家都知道了，美国人搞出了ENIAC，第一台图灵完全的电子计算机。ENIAC消耗了17000个以上的电子管，代价是重量接近30吨，以及几乎每天都会有损坏的电子管需要替换。这样的开销显然让人蛋疼，于是寻找一种更小、更廉价、更可靠的器件来代替电子管就成了研究者们的新目标。

　　实际上金属氧化物晶体二极管早就已经发明了，ENIAC 里也使用了大量的二极管。可惜二极管和电阻电容电感一样，因为是二端器件所以没法单独完成放大或是计算。在1922年，苏联工程师Losev 利用红锌矿二极管的负阻抗特性成功实现了一个放大电路，可惜由于红锌矿的稀少所以没有实用化。后来据说Losev 曾进行过硅晶体管的研究，不过随后二战爆发，他死于列宁格勒围城战中，相关的研究记录也全部丢失了。在大洋彼岸，1925年加拿大的Lilienfeld 第一个提出了场效应管（结型场效应管，JFET）的设计理念，提出了在半导体材料上实现类似电子管功能的想法。然而受限与当时的工艺水平雷火竞技，这个想法一直没有实现。

　　第一个将晶体三极管变为现实的，是巴丁和布拉顿，他们发明了双极晶体管（BJT），并与发明了P/N结二极管的肖克来一起获得了诺贝尔奖。

　　不过一年之后（1948年），肖克来利用自己在P/N结二极管上的经验，设计了结型构造的双极性晶体管，这一结构立即成了BJT的标准结构，并服役至今。

　　此后，除了少数特殊领域（高温、大功率……）BJT 迅速取代了电子管，电子计算机的成本和体积都大大减小了。

　　由于电子计算机大部分器件都是晶体管组成的逻辑门，而晶体管，都是由半导体材料制造的。自然而然地，人们就会希望把所有晶体管集中在同一块半导体上，而不是制造一堆独立的晶体管再手工连接起来。接下来的尝试，就是将印刷电路板上做过的事情在半导体上再做一次。不过由于材质和工艺精度的要求，直到1958-1959年，基尔比和诺伊斯才先后实现了集成电路——将晶体管、电阻、电容和导线集成在同一块半导体上。

　　第一代的集成电路和第一代晶体管一样，都是锗基电路。但是锗有一些很难解决的问题：比如热稳定性，比如氧化物不致密，比如界面缺陷很多。这些问题导致锗基电路始终走不出实验室，只能在论文里刷刷存在感。于是研究者们顺着元素周期表向上爬了一格，看中了硅。

　　硅和锗一比，简直就是半导体界的模范元素。热稳定性不错，有着致密、高介电常数的氧化物，可以轻易制备出界面缺陷极少的硅-氧化硅界面，地表含量极大，提纯非常容易……更妙的是，氧化硅不溶于水（氧化锗溶于水），也不溶于大多数的酸，这简直是和印刷电路板的腐蚀印刷技术一拍即合。结合的产物，就是延续至今的集成电路平面工艺。

　　当然，集成电路的工艺精度要求比印刷电路板高了不止一个量级，直接套用印刷电路板的技术自然是不行的。于是集成电路自己发展出了一套光刻-腐蚀（刻蚀）-扩散（注入）-溅射（淀积）的工艺体系，这就是延续至今的集成电路平面工艺。所谓平面工艺，是因为所有工艺步骤都是对整个硅晶圆表面均匀进行，整个工艺完全是二维图形的操作。

　　BJT是PNP（或是NPN）的三层结构，在使用平面工艺制备的时候，如果把三层纵向放，就需要浪费一定的面积给下面两层引出到表面，而且工艺步骤也较复杂。如果三层横向放置，由于BJT的基极（B级）必须非常薄，以当时的光刻和掺杂精度很难实现。

　　最后工艺界使用的纵向放置来实现BJT，以这个工艺为基础，集成电路进入了TTL（Transistor-Transistor Logic，晶体管-晶体管逻辑电路）时代。

　　目前为止最后一次大的变革，是90年代CMOS（互补金属氧化物半导体）取代了TTL占据了市场主流。

　　CMOS的基础是MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），前文提到场效应管的历史可以追溯到20年代，但是MOSFET的诞生要等到1960年。新生的MOSFET很快取代了JFET，成为了场效应管的主流。60年代到90年代，面对如日中天的BJT，MOSFET始终被压制着。主要原因是BJT的电流更大，速度更快，耐压耐击穿更强。虽然MOSFET因为工艺步骤少、占用面积小，所以更便宜一些，但是始终没能占据主流。

　　不过这将近30年的时间里，集成电路产业跟着戈登·摩尔的预言经历了史无前例的疯狂发展。工艺精度每1-2年就要前进一个节点（特征尺寸*0.7）。随着电路尺寸越来越小，芯片上集成的晶体管越来越多，芯片的功耗和发热已经成了一个非常严峻的问题。这个时候TTL和BJT电路的一个先天劣势就暴露了出来。

　　BJT本质上，是一个输入电流控制输出电流，实现电流放大的三端器件。由于输入信号是电流，输入信号必须消耗功耗。而且BJT的特性和大量使用的电阻负载和偏置以及较高的工作电压，也使得TTL电路的关断漏电和静态功耗很难抑制。

　　而MOSFET则不同，场效应管是一个通过输入电压控制输出电流的多端器件，它的输入漏电比BJT要小几个数量级。而且MOSFET的沟道电流要小于BJT（这也是MOSFET速度慢的原因之一），关断漏电上抑制非常好。最后，CMOS工艺彻底排除了电阻负载，使用PMOS、NMOS互为负载，实现了近乎于0的静态功耗。

　　功耗和成本上的双重优势，最终压倒了TTL那越来越小的性能优势。CMOS占据了集成电路的主流地位。

　　再之后的发展，更多的是在CMOS的基础上对材料和结构做一点小修小补（双阱工艺、strain、SOI衬底、HK-MG、FIN-FET）来延续摩尔定律。但是硅衬底和CMOS结构两大基础没有再发生变化。

　　可以不用半导体，原则上任意的绝缘衬底都可以铺导线。比如印刷电路板就是酚醛基底上铺导线。但光有导线不行啊，没有开关还是构不成集成电路。而半导体晶体管就是开关。在其它衬底上做开关还要另外长硅晶体，还不如直接用单晶硅做衬底，这样做晶体管可以直接就地取材。比如这一块注入磷做N区，这一块注入硼做P区，上面再长一层二氧化硅做栅极。

　　事实上不用半导体做衬底的集成电路也不是没有。手机屏幕就是一个玻璃基板的集成电路。为此手机屏幕用的是一种特殊的器件叫“薄膜场效应管”（TFT）。TFT就是用来驱动液晶或OLED的。然而玻璃承受不了高温，无法生长多晶硅，所以TFT用的是无定形硅。无定形硅性能不好，耐电流小，对于需要大电流的自发光器件（比如OLED）难以满足要求。为了能在玻璃基板上长多晶硅，人们开发出了低温多晶硅（LTPS）。但LTPS的性能不稳定，难以实用化。我不知道如果用蓝宝石做屏幕可不可以直接长多晶硅甚至是单晶硅？

　　有了0和1（二进制的世界），就有了语言，有了语言就可以表达逻辑，表述世界... ...老子说的，“生万物”。

　　IC，英文全称：integrated circuit,集成电路，顾名思义，就是将各种元器件如MOS管，电容 电阻 二极管等集成在一片硅衬底上，然后封装在一个模块内部的电路。

　　至于为什么要集成在半导体上，是因为半导体的载流子有两种，电子和空穴，从而可以制作双极器件，从而能够达到节能的同时（CMOS互补工艺，例如反相器），还能提高载流子输运效率，从而满足高频器件的工作。

　　电子元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，是电容、晶体管、游丝、发条等电子器件的总称。常见的有二极管等。电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。

　　电子元器件包括：电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。电子元器件在质量方面国际上有欧盟的CE认证，美国的UL认证，德国的VDE和TUV以及中国的CQC认证等国内外认证，来保证元器件的合格。

　　半导体具体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

　　物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体是指一种导电性可控，范围从绝缘体到导体之间的材料。从科学技术和经济发展的角度 来看，半导体影响着人们的日常工作生活，直到20世纪30年代这一材料才被学界所认可。

　　①.元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、硒的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前， 只有硅、锗性能好，运用的比较广，硒在电子照明和光电领域中应用。硅在半导体工业中运用的多，这主要受到二氧化硅的影响，能够在器件制作上形成掩膜，能够提高半导体器件的稳定性，利于自动化工业生产。

　　②.无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料，当然也有多种元素构成的半导体材料，主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族；II族与IV、V、VI、VII族；III族与V、VI族；IV族与IV、VI族;V族与VI族；VI族与VI族的结合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影响，不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中，InP制造的晶体管的速度比其他材料都高，主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料，主要用于LED等方面。

　　③.有机合成物半导体。有机化合物是指含分子中含有碳键的化合物，把有机化合物和碳键垂直，叠加的方式能够形成导带，通过化学的添加，能够让其进入到能带，这样可以发生电导率，从而形成有机化合物半导体。这一半导体和以往的半导体相比，具有成本低、溶解性好、材料轻加工容易的特点。可以通过控制分子的方式来控制导电性能，应用的范围比较广，主要用于有机薄膜、有机照明等方面。

　　④.非晶态半导体。它又被叫做无定形半导体或玻璃半导体，属于半导电性的一类材料。非晶半导体和其他非晶材料一样，都是短程有序、长程无序结构。它主要是通过改变原子相对位置，改变原有的周期性排列，形成非晶硅。晶态和非晶态主要区别于原子排列是否具有长程序。非晶态半导体的性能控制难，随着技术的发明，非晶态半导体开始使用。这一制作工序简单，主要用于工程类，在光吸收方面有很好的效果，主要运用到太阳能电池和液晶显示屏中。

　　⑤.本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动。

　　它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

　　目前广泛应用的半导体材料有锗、硅、硒、砷化镓、磷化镓、锑化铟等．其中以锗、硅材料的生产技术较成熟，用的也较多。用半导体材料制成的部件、集成电路等是电子工业的重要基础产品，在电子技术的各个方面已大量使用。半导体材料、器件、集成电路的生产和科研已成为电子工业的重要组成部分。

　　另外无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。

　　半导体材料光生伏特效应是太阳能电池运行的基本原理。现阶段半导体材料的光伏应用已经成为一大热门 ，是目前世界上增长最快、发展最好的清洁能源市场。太阳能电池的主要制作材料是半导体材料，判断太阳能电池的优劣主要的标准是光电转化率 ，光电转化率越高 ，说明太阳能电池的工作效率越高。根据应用的半导体材料的不同 ，太阳能电池分为晶体硅太阳能电池、薄膜电池以及III-V族化合物电池。

　　LED是建立在半导体晶体管上的半导体发光二极管 ，采用LED技术半导体光源体积小，可以实现平面封装，工作时发热量低、节能高效，产品寿命长、反应速度快，而且绿色环保无污染，还能开发成轻薄短小的产品 ，一经问世 ，就迅速普及，成为新一代的优质照明光源，目前已经广泛的运用在我们的生活中。如交通指示灯、电子产品的背光源、城市夜景美化光源、室内照明等各个领域 ，都有应用。

　　交流电和直流电的相互转换对于电器的使用十分重要 ，是对电器的必要保护。这就要用到等电源转换装置。碳化硅击穿电压强度高 ，禁带宽度宽，热导性高，因此SiC半导体器件十分适合应用在功率密度和开关频率高的场合，电源装换装置就是其中之一。碳化硅元件在高温、高压、高频的又一表现使得现在被广泛使用到深井钻探，发电装置中的逆变器，电气混动汽车的能量转化器，轻轨列车牵引动力转换等领域。由于SiC本身的优势以及现阶段行业对于轻量化、高转换效率的半导体材料需要，SiC将会取代Si，成为应用最广泛的半导体材料。

　　半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗，湿度每升高10度，它的电阻率就要减小到原来的1／2。温度的细微变化，能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。利用半导体的热敏特性，可以制作感温元件——热敏电阻，用于温度测量和控制系统中。值得注意的是，各种半导体器件都因存在着热敏特性，在环境温度变化时影响其工作的稳定性。

　　半导体的电阻率对光的变化十分敏感。有光照时、电阻率很小；无光照时，电阻率很大。例如，常用的硫化镉光敏电阻，在没有光照时，电阻高达几十兆欧姆，受到光照时．电阻一下子降到几十千欧姆，电阻值改变了上千倍。利用半导体的光敏特性，制作出多种类型的光电器件，如光电二极管、光电三极管及硅光电池等．广泛应用在自动控制和无线电技术中。

　　在纯净的半导体中，掺入极微量的杂质元素，就会使它的电阻率发生极大的变化半导体设备。例如．在纯硅中掺入。百万分之—的硼元素，其电阻率就会从214000Ω·cm一下于减小到0.4Ω·cm．也就是硅的导电能为提高了50多万倍。人们正是通过掺入某些特定的杂质元素，人为地精确地控制半导体的导电能力，制造成不同类型的半导体器件。可以毫不夸张地说，几乎所有的半导体器件，都是用掺有特定杂质的半导体材料制成的。

　　集成电路，英文为Integrated Circuit，缩写为IC；顾名思义，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。

　　集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。

　　当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。是20世纪50年代后期到60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。

　　集成电路，又称为IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如5G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号）。

　　集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。

　　集成电路按集成度高低的不同可分为：SSIC 小规模集成电路、MSIC 中规模集成电路、LSIC 大规模集成电路、VLSIC 超大规模集成电路、ULSIC特大规模集成电路、GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路。

　　集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。

　　集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。

　　集成电路按外形可分为圆形（金属外壳晶体管封装型，一般适合用于大功率）、扁平型（稳定性好，体积小）和双列直插型。

　　最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心(cores),可以控制电脑到手机到数字微波炉的一切。存储器和ASIC是其他集成电路家族的例子，对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高，但是当分散到通常以百万计的产品上，每个IC的成本最小化。IC的性能很高，因为小尺寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。

　　这些年来，IC 持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能－见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每两年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了－单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC不是没有问题，主要是泄漏电流（leakage current）。因此，对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图（ITRS）中有很好的描述。

　　越来越多的电路以集成芯片的方式出现在设计师手里，使电子电路的开发趋向于小型化、高速化。越来越多的应用已经由复杂的模拟电路转化为简单的数字逻辑集成电路。

　　仅仅在其开发后半个世纪，集成电路变得无处不在，电脑，手机和其他数字电器成为现代社会结构不可缺少的一部分。这是因为，现代计算，交流，制造和交通系统，包括互联网，全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学者认为有集成电路带来的数字革命是人类历史中最重要的事件。

　　1.芯片，又称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成电路（integrated circuit， IC），是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。芯片（chip）就是半导体元件产品的统称，是 集成电路（IC， integrated circuit）的载体，由晶圆分割而成。硅片是一块很小的硅，内含集成电路，它是计算机或者其他电子设备的一部分。

　　2.半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。

　　3.集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。

　　4.芯片就是芯片，一般是指你肉眼能够看到的长满了很多小脚的或者脚看不到，但是很明显的方形的那块东西。但是，芯片也包括各种各样的芯片，比如基带的、电压转换的等等。处理器更强调功能，指的就是那块执行处理的单元，可以说是MCU、CPU等。集成电路范围要广多了，把一些电阻电容二极管集成到一起就算是集成电路了，可能是一块模拟信号转换的芯片，也可能是一块逻辑控制的芯片，但是总得来说，这个概念更加偏向于底层的东西。集成电路是指组成电路的有源器件、无源元件及其互连一起制作在半导体衬底上或绝缘基片上，形成结构上紧密联系的、内部相关的事例电子电路。它可分为半导体集成电路、膜集成电路、混合集成电路三个主要分支。

　　5.芯片是集成电路一种简称，其实芯片一词的真正含义是指集成电路封装内部的一点点大的半导体芯片，也就是管芯。严格讲芯片和集成电路不能互换。集成电路就是通过半导体技术，薄膜技术和厚膜技术制造的，凡是把一定功能的电路小型化后做在一定封装的电路形式下的，都可以叫做集成电路。半导体是一种介于良好导体和非良好导体（或说绝缘体）之间的物质。

　　6.IC 指集成电路，做在半导体上是因为半导体是最适合实现晶体管的材料，而晶体管正是现在绝大多数电路的核心器件。IC 的中文叫「集成电路」，在电子学中是把电路（包括半导体装置、组件）小型化、并制造在半导体晶圆表面上。所以半导体只是制作 IC 的原料。也就是说常说的半导体产业链，正确一点来说应该叫 IC 产业链，包括「IC设计」、「IC制造」、「IC封装」。因为在 IC 设计和封装的环节，都不会碰到半导体啊！重点是那颗IC！

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