雷火竞技我们是亚太区碳化半导体资讯硅晶片生产制造先行者

　　北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。

　　公司依托于中国科学院物理所十余年在碳化硅领域的研究成果，集技术、管理、市场和资金优势。

　　获得国家自然科学基金、中国科学院、科技部和国家其他部门的研究资金的大力支持。

　　拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长、加工技术和专业设备，建立了完整的碳化硅晶片生产线半导体资讯雷火竞技。

　　将最先进的碳化硅晶体生长和加工技术产业化，大规模生产和销售具有自主知识产权的碳化硅晶片，促进中国宽禁带半导体产业和固体照明产业的发展。

　　近日，国家重点研发计划重点专项“大尺寸SiC 单晶衬备产业化技术”项目实施方案论证会暨项目进度汇报会在北京天科合达半导体股份有限公司总部顺利举行。清华大学教授罗毅院士半导体新闻、北京大学宽禁带半导体研究中心主任沈波教授、中材人工晶体研究院教授级高工黄存新副院长、原北方华创副总裁李东旗研究员、国家第三代半导体技术创新中心处长研究员、中国农科院农经所高级会计师靳淑平及项目各承担单位代表近30人参加会议。

　　英飞凌科技股份公司推动其碳化硅（SiC）供应商体系多元化，并与有我公司限公司签订了一份长期协议，以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。

　　近日，经国家人力资源社会保障部、全国博士后管理委员会批准，北京天科合达半导体股份有限公司成功取得了博士后科研工作站设立资格。

　　2022年11月15日，第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM-2022)在江苏省徐州市召开。在大会开幕式最后环节，北京天科合达半导体股份有限公司举办了“8英寸导电型碳化硅衬底”新产品发布会。

　　自行研发，设计制造了碳化硅晶体生长的设备，采用创新的技术路线实现碳化硅晶体生长高温区等关键晶体生长条件的产生和控制。

　　自行研发了碳化硅单晶生长的关键技术：碳化硅晶体生长区的最佳温度和温度梯度及其精确控制和调节、载气流量和气压的稳定保持、以及籽晶和原料的特殊处理。

　　自行研发了碳化硅晶片加工的关键工艺技术：针对超硬的碳化硅，选取适当种类、粒度和级配的磨料以及适当的加工设备来切割、研磨、抛光；碳化硅晶片的抛光（CMP）。

　　建成了百级超净室，开发出碳化硅晶片表面处理、清洗、封装等工艺技术，使产品达到了即开即用的水准。

　　截至目前公司申请专利40余项，已获授权专利34项，范围涵盖从原料制备、生长设备、晶体生长、晶体加工工艺流程以及清洗检测全生产线。雷火竞技雷火竞技雷火竞技雷火竞技