半雷火竞技导体的全部类型有哪些？

　　先纠正一下，半导体指的是导电能力介于导体和绝缘体之间的材料半导体，常见的有硅、锗、碳化硅、氮化镓等，一般说半导体都是说半导体材料，三极管、二极管是半导体器件。

　　本征半导体：材料完全纯净，不含杂质，晶格完整，因为内部的共价键被本征激发（部分价带中的电子越过禁带进入空带，形成能在外部电场下自由移动的电子和空穴）而导电。想要理解半导体的导电特性就必须要有这么一个电子-空穴对的概念，简单来讲，电子导电就是自由电子（带负电）的移动，空穴导电就是共价键中的电子移动到附近的空穴中，表现为空穴（带正电）在移动。

　　N型半导体：向本征半导体中掺杂一定量的磷等五价元素的杂质（施主杂质），由于原子最外层电子数比硅等材料要多，在形成共价键之后还会多余出一个电子，这个电子的激发能量远比价态的电子要低，所以N型半导体材料导电以自由电子为主（还是存在少量空穴），这个过程中材料仍为电中性。

　　P型半导体：向本征半导体中掺杂一定量的硼等三价元素的杂质（受主杂质），由于原子最外层电子数比硅等材料要少，在形成共价键之后还会多余出一个空穴，这个空穴的能级接近价带中的电子能级，价带中的电子很容易受激发迁移到这里，所以N型半导体材料导电以空穴载流子为主（还是存在少量电子），这个过程中材料仍为电中性。

　　顾名思义，PN结就是将一块P型半导体材料和一块N型半导体材料组合在一起（换句话说把一块本征半导体材料的两个部分分别进行P型、N型的掺杂）。

　　N型区电子多（即多子）空穴少（即少子），P型区空穴多（即多子）电子少（即少子）雷火竞技。

　　在不同半导体材料的雷火竞技接触面上，由于多子浓度不同产生扩散运动，P型材料中的空穴和N型材料中的电子会形成电子-空穴对（电中性），P型材料因失去空穴（接受电子）而带上负电，N型材料因失去电子而带上正电雷火竞技，这样子在半导体内部会形成一个空间电荷区。

　　空间电荷区的电场方向与多子的扩散运动方向相反，抑制多子的扩散，同时这个电场将使N型区的少子空穴向P型区漂移，使P型区的少数载流子电子向N型区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。

　　从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。

　　显然，当P区加正电压，N区加负电压时，漂移运动被抑制，扩散运动增强，此时载流子雷火竞技主要为多子，导电性能强，器件导通；当P区加负电压，N区加正电压时，扩散运动被抑制，漂移运动增强，此时载流子主要为少子，导电性能弱强，器件关断，仅有极小的反向导通电流。

　　1.晶闸管及其派生器件（逆阻型晶闸管SCR、逆导型晶闸管RCT、光控晶闸管LCT、双向晶闸管TRIAC）

　　2.半控器件：仅SCR属于半控器件。可以控制其导通起始时刻，一旦导通后， 仍会继续处于通态。

　　3.全控型器件： BJT、 GTO、 MOSFET、 IGBT是全控型器件，即通过门极（或基极或栅极）驱动信号既能控制其开通又能控制其关断。

　　根据开通和关断所需门极（栅极）驱动信号的不同要求，开关器件又可分为电流控制型开关器件和电压控制型开关器件两大类：

　　BJT要求有正的、持续的基极电流开通并保持为通态，当基极电流为零后， BJT关断。为加速其关断，要提供负的脉冲电流。

　　MOSFET和IGBT要求有正的持续的驱动电压使其开通并保持为通态，要求有负的、持续电压使其关断并保持为可靠的断态。

　　电压型驱动器件的驱动功率都远小于电流型开关器件半导体，驱动电路也比较简单可靠。