雷火竞技2022上半年让半导体变得有趣的5个关键词

　　雷火竞技雷火竞技雷火竞技雷火竞技行业有许多值得注意的主题或关键词。从这些主题中,我们梳理出五个重要的内容,其将围绕半导体市场环境、晶圆厂的状况、半导体产能和制造工艺来进行阐述。

　　半导体制造业的变化,离不开市场需求、晶圆厂资产状况、半导体产能及产品设计尺寸。根据近期ICInsight、SEMI分析机构数据显示,今年的全球半导体总销售额可能达到创纪录的6807亿美元,并预计至2030年,这一数字有望突破万亿美元关口。

　　受半导体强大增长动能驱动,晶圆代工扩产充能。SEMI数据显示,2021年至2023年的Fab建设投资达到历史新高,仅2022年支出就增长14%,达到近260亿美元。28家新的量产晶圆厂将于今年(2022年)开始建设,其中包括23家300毫米晶圆厂和5家专用于200毫米及以下的晶圆厂。

　　图1数据显示,全球运营中的晶圆厂主要分布:美国有70家,中国有66家,欧洲和中东有61家,日本有63家,韩国27家,东南亚地区21家,中国台湾65家。由于台积电、英特尔、三星和Globalfoundries之间的军备竞赛,这个数字在未来几年还会增加。

　　自2020年下半年以来,半导体短缺问题变得十分严重,至今仍未完全解决。到2022年,芯片短缺仍然很复杂。用于生产汽车和医疗设备的芯片还是比较稀缺。最大的汽车半导体供应商之一英飞凌表示,其核心产品的短缺问题将在2023年才能结束。

　　英飞凌新上任的首席运营官Rutger Wijburg就曾表示,为了应对工业细分市场半导体的短缺,其已经计划将加速扩大产能,并现在只接受交货时间长的订单。就目前而言,12个月的交货时间都很正常,18个月或更长时间也不罕见。

　　另据台媒最新报道,用于服务器的电源管理IC的供应仍然紧张。受今年晚些时候新处理器的推出推动,部分电源管理IC供应商都在为预计的服务器需求激增做好准备。业内人士指出,服务器需求没有放缓的迹象半导体。PMIC是除MCU之外最紧缺的芯片品类之一,有关数据显示,国际半导体厂商的交期已经高达20-24周,个别厂商交期已高达40-52周。

　　全球半导体企业营收排名第一的英特尔和排名第二的三星要合作了,其他半导体厂商会怎么看或怎么应对该联盟呢?据5月30日韩联社消息称,三星计划与英特尔在下一代存储IC、逻辑IC、晶圆代工以及消费电子应用等领域进行深度合作。

　　其中涉及的晶圆代工合作就比较有深意。在该领域,尽管三星代工作为一个完全独立的业务部门仅处于第六个年头,但就所服务的客户而言,它们并不落后于TSMC。尽管专家可能仍然认为三星的产量低于其台湾竞争对手,但这家韩国企业集团正在不断投资和改善其生产线年超越TSMC。

　　毫无疑问,TSMC也一直在与三星电子激烈竞争5纳米及以下产品,英特尔也参与了这场战斗。TrendForce的数据显示,TSMC以去年第四季度确立的52.1%的市场份额(基于销售额)排名第一,三星电子以18.3%的份额紧随其后,位居第二。

　　当前,各大厂商在NAND层数堆叠上的竞争日趋白热化。美光、SK海力士、三星等头部厂商都已突破176层3D NAND技术,进入200层以上的堆叠层数比拼。根据TrendForce集邦咨询数据,随着110+层闪存芯片的推出,2023年市场总产出的72.5%会被110+层3D NAND闪存占据雷火竞技。

　　1)三星正在加快200层以上NAND闪存的量产步伐,韩国媒体《Business Korea》曾报道,三星将在今年底明年初推出200层以上的NAND产品,并计划在2023年上半年开始量产雷火竞技。

　　2)美光科技(Micron Technology)将于今年晚些时候开始推出下一代3D NAND产品,这是一种232层的工艺,芯片上的密度高达1tb。Micron负责技术和产品的执行副总裁Scott DeBoer透露了未来十年3D NAND的路线)西部数据在近期公布的闪存技术路线图显示,其计划与合作伙伴铠侠于2022年底前开始量产162层NAND产品。西数还透露,2032年之前将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。

　　4)SK海力士最新的3D NAND层数是176层,但其前CEO李锡熙在去年的IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)上展望SK海力士产品的未来计划时曾预测,未来有可能实现600层以上的NAND产品。

　　截至2022年3月,量产最先进的制造工艺是5nm。据最新报道,三星将会在近几周内启动全球首款基于3纳米工艺的大规模生产。TSMC也表示,其3纳米FinFET架构将在今年下半年进入大规模生产半导体。在销售额方面,韩国三星代工一直落后于全球最大的半导体芯片代工制造商台积电。笔者认为,三星是想在征服3nm工艺技术方面超过TSMC。

　　通常,工艺节点数量越少,晶体管数量越多。这一点很重要,因为晶体管数量越多,芯片就越强大,越节能。目前,业界主流工艺技术是5nm,用于三星Galaxy S22和

　　13之类的产品。因此,随着晶体管尺寸不断缩小,预计三星将在未来几周成为首家推出3nm芯片的代工厂。除了转向下一个工艺节点,三星还将使用其最新的晶体管设计,称为GAA,而预计将于2022年下半年开始量产3nm的TSMC仍将使用旧的FinFET设计。与FinFET相比,GAA工艺使得芯片功耗降低近一半,同时性能提高多达35%,性能提升多达30%。