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长鑫存储取得半导体结构的制备方法专雷火竞技利改善了电容倒塌和剥落的问题

发布日期:2023-12-07 01:14 浏览次数:

  雷火竞技雷火竞技专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构的制备方法雷火竞技,涉及半导体技术领域。该方法包括:提供晶圆,所述晶圆包括衬底和形成于所述衬底上的叠层,所述叠层包括牺牲层和支撑层;在所述叠层上形成电容刻蚀保护层雷火竞技,所述电容刻蚀保护层包括第一光阻区和第二光阻区,所述第一光阻区覆盖所述晶圆的非电容区域,所述第二光阻区覆盖所述晶圆的边缘区域;在未被所述电容刻蚀保护层覆盖的区域形成贯穿所述叠层的电容孔;在所述电容孔中形成下电极;去除所述牺牲层。本公开改善了电容倒塌和剥落的问题,并降低了制造成本半导体半导体

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