雷火竞技长鑫存储取得半导体器件及其制作方法专利通过控制晶圆以不同的转速进行转动利用不同转速之间变换时产生交替的离心力以及回缩力使涂覆液在晶圆表面均匀分布为器件后续制程提供平坦的膜层面克服了的制造缺陷

　　长鑫存储取得半导体器件及其制作方法专利，通过控制晶圆以不同的转速进行转动半导体，利用不同转速之间变换时产生交替的离心力以及回缩力，使涂覆液在晶圆表面均匀分布，为器件后续制程提供平坦的膜层面，克服了器件的制造缺陷

　　金融界2023年12月6日消息雷火竞技，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体器件及其制作方法“，授权公告号CN115770708B，申请日期为2022年11月。

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　　专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该制作方法包括：提供一晶圆，晶圆固定于旋转涂布装置的基板上，旋转涂布装置具有出液端雷火竞技，出液端与基板相对设置；出液端对晶圆表面输出涂覆液；旋转涂布装置以第一旋转速度带动晶圆做旋转运动，使涂覆液沿晶圆半径方向由内至外布满晶圆表面；旋转涂布装置以第二旋转速度带动晶圆做旋转运动半导体，第二旋转速度小于第一旋转速度，涂覆液在晶圆表面由外至内回缩，使涂覆液均匀分布于晶圆表面，形成涂覆层。通过控制晶圆以不同的转速进行转动，利用不同转速之间变换时产生交替的离心力以及回缩力，使涂覆液在晶圆表面均匀分布，为器件后续制程提供平坦的膜层面，克服了器件的制造缺陷。