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半导体检测赛道迎机遇!第五届纳博会分析测试应用论坛召开

发布日期:2023-03-04 10:49 浏览次数:

  雷火竞技雷火竞技2023年3月1日,由中国微米纳米技术学会、中国国际科学技术合作协会、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)主办,苏州纳米科技发展有限公司承办的

  本届纳博会为期三天,聚焦微纳制造(MEMS)、第三代半导体、纳米新材料、柔性印刷电子、纳米压印、分析测试、纳米大健康等热门领域,汇聚众多全球顶级专家、行业领军,以1场大会主报告、11场专业论坛、344场行业报告、22000平米展览、2场大赛为主体,“会、展、赛、奖、发布”五位一体,邀请国内外院士19人,参会参展的纳米技术相关企业超两千多家,参会参展嘉宾总人数将达两万余人。

  如期召开,该论坛由胜科纳米(苏州)股份有限公司、中国半导体行业协会MEMS分会、苏州纳米科技发展有限公司共同主办,赛默飞世尔科技、日立科学仪器(北京)有限公司、卡尔蔡司(上海)管理有限公司、牛津仪器科技(上海)有限公司、仪器信息网共同协办。论坛围绕集成电路及元器件失效分析和材料分析表征,先进封装和复杂芯片的故障分析方案,Labless商业模式变革等主题,邀请11位国内外半导体领域的专家、学者、企业家分享相关的分析测试技术进展,探讨半导体分析测试行业发展与趋势。

  胜科纳米是世界顶尖的第三方分析实验室,为集成电路行业提供一站式失效分析、材料分析、产品开发和质量保证服务,服务全球客户已超2400家,并深度参与到整个全产业链的生产研发活动。此背景下,胜科纳米创始人李晓晏拥有了俯视产业的视角,曾提出Labless商业理念,多次准确预判半导体行业周期。敬畏行业周期性,报告中李晓晏从独特视角、结合二十余年的从业经验,分享了从分析检测赛道对半导体行业周期的判断,分别对近年来“芯片荒”、“低端芯片内卷,高端芯片稀缺”、“行业细分”等预判进行了探讨与延伸。最后认为,半导体已真正进入性价比时代,一切能够提升芯片性价比的赛道将成为下一周期。胜科纳米一直致力于提升整个半导体行业性价比,其正向发展走势与周期必然性一致。

  SiP封装技术的发展是摩尔定律得以延续的主要技术路径。谢建友报告表示,随着晶圆技术的“瓶颈”化和成本的提高,封装技术会承担越来越最重要的作用和提供更高的价值。计算、移动通讯 (5G)的持续发展需要封装技术的不断创新、发明、优化来满足持续增长的性能需求和成本的降低。而Chiplet、2.5D/3D等广义上的 SiP,新兴的材料,设备,工艺是未来封装界需要侧重开发的领域。

  上海光源装置由一台150MeV电子直线加速器、一台全能量增强器、一台3.5GeV储存环和众多光束线月对用户开放。目前正在建设二期线年中全部对用户开放。李爱国报告分享了同步辐射无损表针技术在集成电路器件领域的应用及展望,发展高精度同步辐射无损表征技术可以实现集成电路的sub-7nm缺陷的快速无损成像检测,同时,同步辐射能为集成电路芯片的生产流程优化、失效机理分析和设计验证提供有效支撑。

  黄承梁介绍了蔡司显微镜多尺度表征解决方案在化合物半导体先进失效分析中的应用与案例。应用涵盖芯片、外延、设计、制造、封装等环节,对应相关蔡司技术包括光镜、扫描电镜-阴极发光、ECCL、FIB、XRM、LM等。

  (最佳用户体验奖-牛津仪器,最佳设备质量奖-日立科学仪器,最佳技术合作奖-蔡司,最佳服务质量奖-赛默飞)

  圆桌会议环节,由胜科纳米公共关系副总裁 邵宏伟主持,分别邀请南开大学讲席教授罗锋、胜科纳米董事长李晓旻、中国科学院半导体研究所教授级高级工程师钮应喜、赛默飞半导体中国区高级商务总监朱雪雁等,围绕半导体分析测试领域发展的多方合作、分析测试技术如何应对半导体快速发展的需求、高端试片制备技术发展、半导体测试领域人才短缺等话题进行了逐一探讨交流。

  罗锋在报告中表示,立足研发是实现我国芯片的自主可控必由之路,材料和加工工艺与装备是最大瓶颈,而对应测试与检测设备是检验设备性能可靠性的必要手段和提升其性能的指导工具。接着分享了围绕面向3nm以下工艺节点的IC关键工艺与装备,其团队的开展的相关研究与代表性成果,包括研发4D电与超快阴极荧光系统、开展金属氧簇型EUV光刻材料研究、研发桌面型高能自由电子激光器、自研原子层沉积/刻蚀技术与装备、集成电路表面分析与表面处理装备开发等。

  葛广路分享了纳米材料分析测试的挑战及纳米材料测试标准情况,关于下相关测试标准展望,葛广路认为,已发布的检测标准用于基础研究和技术研发中的数据比较,尚不能支撑市场监管和高端应用。下一步关注基质中纳米材料的检测,和器件中纳米性能的评估。同时呼吁打通壁垒,形成国家、行业、地方、团体标准的完善体系,建立国内纳米测量比对实验的组织机制,提升标准质量。

  唐涌耀首先介绍了失效分析流程和电性失效定位方法,接着围绕“分析方法原理、EFA基本原理原则与流程、分析方法的限制/极限/应用范围”等,依次分享了赛默飞整体解决方案,相关技术包括LIT、PFIB、Nanoprobing、FIB、SEM/TEM等。

  马岚报告主要介绍了牛津仪器旗下材料分析业务(MAG)在半导体显微分析技术方面的进展,相关技术主要包括纳米分析(EDS, EBSD, WDS, OP)、共聚焦拉曼成像显微镜、原子力显微镜等,并分别列举了每种技术在半导体显微分析方便的最新应用案例。

  日立在半导体领域可以提供全面设备技术,张希文报告主要介绍了其中电镜技术在半导体产业中的最新应用进展,并分别详细介绍了日立优势产品冷场发射扫描电镜SU8600/SU9000、球差校正透射电镜HF5000、纳米探针NP8000等产品技术的最新应用案例与优势。

  钮应喜报告首先介绍了碳化硅的缺陷,以及缺陷对器件性能的影响,接着表示,随着碳化硅的技术发展、成本进一步降低,在终端应用市场的渗透率进一步提升,尤其在新能源汽车领域。在各个工艺环节中还在存在很多缺陷,影响性能、合格率、可靠性,还需持续改进,尤其上下游的协同作用。

  报告题目:X-射线能谱 (EDS)、X-射线光电子能谱 (XPS) 和俄歌电子能谱 (AES) 分析技术研究和在半导体芯片设计、晶圆制造和先进封装中的应用(线上)

  华佑南在报告中探讨了X-射线能谱(EDS)、X-射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)三种分析技术。提出了“EDS清洁是不清洁的,Auger清洁则是清洁的”的分析概念。确定了“EDX 不能用来检测一个正常铝焊盘上的氟污染水平,必须应用俄歇电子能谱(AES)来检测。通过一些应用实例,对三种分析技术的优缺点做了比较。帮助失效分析和质量管理人员选择合适的分析技术,提高材料分析和失效分析的准确度和精度,和提升半导体产品的良率和可靠性。

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