千亿市场第三代半导体技术从何突破？

　　【哔哥哔特导读】随着高压、高频及高温领域应用的逐渐提高，第三代半导体技术高频化和可靠性等性能的要求已是必须。

　　第三代半导体材料通常是指氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石等，其中氮化镓、碳化硅为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面，氮化镓、碳化硅性能表现更为出色，逐步应用在5G通信、新能源汽车、光伏等领域。

　　虽然硅(Si)是目前技术最成熟、使用范围最广、市场占比最大的衬底材料，但近年来硅材料的潜力已经开发殆尽。围绕功率、频率两个维度来讲，虽然Si-IGBT在高压领域有优势但无法胜任高频领域的要求，Si-MOSFET能胜任高频领域但对电压有所限制，而SiC-MOSFET完美得解决了高压和高频在硅基上难以兼得的问题。

　　在不考虑成本的情况下，SiC-MOSFET凭借其高效率、小体积的特性在兼容高压中频的基础上成为电动汽车、充电桩、光伏逆变等领域的最佳解决方案;GaN-MOSFET则凭借其超高频率的特性在5G射频领域大有可为，当前主要为5G基站 PA 未来有望拓宽到终端设备射频(手机等)。此外， GaN-MOSFET在1000V以下的快充、电动汽车等中低压领域有较大的应用潜力。

　　从整体产值规模来看，根据CASA数据，2020年，我国第三代半导体整体产值超过7100亿。其中，SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%;GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。另有预计，2023年第三代半导体材料渗透率有望接近5%。

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　　目前，随着高压、高频及高温领域应用的逐渐提高，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体应用对器件的高频化和可靠性等性能提出了要求。为了进一步了解碳化硅和氮化镓半导体器件的应用及其技术进展，同时更好地应对第三代半导体应用对磁元件、半导体器件技术高频化、可靠性的挑战问题，第三代半导体技术作为2023’中国电子热点解决方案创新峰会的分论坛之一，将于3月24日下午在深圳(宝安)登喜路国际大酒店二楼C厅正式举办。

　　2023’中国电子热点解决方案创新峰会是以“新电源·智能域·赋能‘芯’生态”为主题，将汇聚2000+上下游合作商，40+方案提供商轮番演讲，20+专家现场探讨，涵盖8个年度热点线+展商解锁热点应用。

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　　峰会议题内容丰富，领域涉猎广泛。除却第三代半导体技术分论坛，新能源汽车超充技术、便携式锂电BMS技术与电池安全、AIoT与智能家居技术、AIoT&智能照明与大功率驱动电源、PD电源解决方案、光伏储能技术创新和5G基站电源与智能灯杆技术7大分论坛将同期举行。