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　　因来自电动车（EV）的需求旺，日本三菱电机（Mitsubishi Electric）将砸千亿日圆、盖新厂，增产碳化硅（SiC）功率半导体，对功率半导体事业的设备投资计划将倍增。

　　三菱电机3月14日宣布，将增产SiC功率半导体，主因EV用需求旺，带动市场预估将呈现急速成长。三菱电机将投资约1,000亿日圆，在熊本县菊池市的现有工厂厂区内兴建新厂房，该座新厂将导入8吋SiC晶圆产线月启用生产，三菱电机并将扩增位于熊本县合志市的工厂的6吋晶圆产能。

　　日媒指出，藉由上述增产投资，2026年度时，雷火竞技三菱电机SiC晶圆产能将扩增至2022年度的约5倍水平。

　　三菱电机指出，包含上述投资计算，2021-2025年度的5年期间，该公司对功率半导体事业的设备投资计划合计将达2,600亿日圆，投资规模将较原先计划值（1,300亿日圆）倍增。

　　半导体制造工程可大致分为在硅晶圆上形成电路的「前段制程」和进行组装、封测等的「后段制程」，而三菱电机上述位于熊本县的2座据点皆属于「前段制程」据点。在「后段制程」部分，三菱电机计划投资约100亿日圆在「Power Device Manufacturer（位于福冈市）」内兴建新厂房。

　　日媒报导，2021年三菱电机SiC功率半导体全球市占率排第6，在日厂中、仅次于位居第四位的Rohm。雷火竞技富士电机、东芝也挤进全球前10大之列，龙头厂为瑞士STMicroelectronics。