最雷火竞技新国产半导体设备盘点

　　实现设备本土化是我国发展集成电路产业的关键之一，关系到我国能否拥有产业自主权。随着我国对半导体产业的重视，国产半导体设备不断推陈出新。

　　半导体集成电路制造过程及其复杂，需要用到的设备包括：硅片制造设备、晶圆制造设备、封装设备和辅助设备等。设备投入往往是生产线建立成本中占据最大份额的部分。根据SEMI的数据，以一座投资规模为15亿元美金的晶圆厂为例，晶圆厂70%的投资用于购买设备（约10亿元美金），设备中的70%是晶圆制造设备，封装设备和测试设备占比约为15%和10%。晶圆制造设备中，光刻机，刻蚀机，薄膜沉积设备为核心设备，分别占晶圆制造环节设备成本的30%，25%，25%。

　　半导体设备行业，集中度非常高，基本被美日荷垄断。全球前十大厂商基本占据了超过90%的市场份额，荷兰公司ASML更是几乎垄断了高端光刻机市场。

　　作为先进半导体器件的晶圆清洗技术领域中领先的设备供应商，盛美半导体设备（NASDAQ:ACMR）近日发布了Ultra C VI单晶圆清洗设备，这是加入Ultra C清洗系列的最新产品。Ultra C VI旨在对动态随机存取存储器（DRAM）和3D NAND闪存晶圆进行高产能清洗，以实现缩短存储产品的生产周期。这款新产品以盛美成熟的多腔体技术为基础，进一步扩展了清洗设备产品线。Ultra C VI系统配备了18个单片清洗腔体，对比盛美现有的12腔设备Ultra C V系统，其腔体数及产能增加了50%半导体，而其设备宽度不变只是设备长度有少量增加。

　　8230双轴全自动划片机，是一款高效率、高精度、高性能、低使用成本的双轴（对向）全自动晶雷火竞技圆切割机，最大切割工件尺寸可达12英寸。该款产品在郑州基地研发制造，是由郑州研发团队携以色列ADT和英国LP & LPB研发团队的工程师合力研发打造的第一颗果实，接下来将会到客户工厂进行DEMO。8230双轴全自动划片机未来主要在郑州基地生产制造，预计2020年底开始向市场批量供货。

　　NMC612G 12 英寸金属刻蚀机是电感耦合高密度等离子体干法刻蚀机雷火竞技，具有多种均匀性控制手段，如电流分布控制技术、气体比例控制技术、静电卡盘温控技术等，为客户提供了多种均匀性调节选择，拓宽了工艺空间。其中，静电卡盘及传输系统不但适用于常规硅片的传输，也适用于不同领域的玻璃片、SOG 片等晶圆的传输及吸附，可多元化满足各领域多种需求。此外，针对刻蚀后残留气体导致的金属腐蚀问题，该设备采用微波去胶技术，利用 O2 产生等离子体，可以较高的速率实现不同金属刻蚀后 PR 掩膜的去除，并保证金属长期存放过程中不被腐蚀。

　　同时，该设备具有新颖的腔体设计，能在高温环境下生长高质量氮化铝工艺，并具有业内领先的深紫外LED高产出率；同时具备较长的平均免开腔维护间隔时间，进一步延长正常运行时间并提高产能。真空自动化传输系统可以抑制颗粒物的产生，并减少缺陷。自动化升降机构可方便维护操作并有效节省维护时间。

　　扬杰科技推出的Low VF产品，电压在45V~200V区间， 电流在20A~30A区间，芯片参数稳定，一致性优异，同时采用环保物料，符合RoHS标准雷火竞技，主要用于适配器，LED电源、家电等行业。

　　虽然我国半导体设备不断发展，取得了长足的进步，但高端的半导体设备仍与国际先进水平有所差距。伴随着我国半导体产业的发展，对半导体设备的需求也将不断增加，发展尖端半导体设备刻不容缓。