雷火竞技半导体设备常见的半导体工艺设备

　　半导体作为最重要的产业之一，每年为全球贡献近五千亿美金的产值，可以毫不夸张的说，半导体技术无处不在。俗话说：巧妇难为无米之炊雷火竞技，硅晶圆作为制造半导体器件和芯片的基本材料，在产业中扮演着举足轻重的地位，硅是当今最重要、应用最广泛的半导体材料。

　　常见的硅晶圆生产流程硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造有三大步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。

　　制作一颗硅晶圆需要的半导体设备大致有十个，它们分别是单晶炉、气相外延炉、氧化炉、磁控溅射台、化学机械抛光机、光刻机、离子注入机、引线键合机、晶圆划片机、晶圆减薄机，其实光刻机只是九牛一毛。

　　更是离不开特气的使用，特气作为产业链中的原料之一，参与各个环节，它们是整个硅晶圆制作中不可或缺的，因此被称为半导体的“血液”。半导体设备对特气的使用有严格的要求，需要稳定精确安全的供气系统，盖斯帕克气体应用技术在特气供应上已有13年的经验，专业从事于半导体特气供应系统，提供从整体规划、专业设计、材料选型、专业安装、系统交付、技术咨询等一站式整套服务。

　　1.单晶炉单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶硅的设备。在实际生产单晶硅过程中，它扮演着控制硅晶体的温度和质量的关键作用。由于单晶直径在生长过程中可受到温度、提拉速度与转速、坩埚跟踪速度、保护气体流速等因素影响，其中生产的温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知，单晶炉主要控制的方面包括晶体直径、硅功率控制、泄漏率和氩气质量等。

　　2. 气相外延炉气相外延炉主要是为硅的气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体。外延生长是指在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。气相外延炉能够为单晶沉底实现功能化做基础准备，气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。

　　3.氧化炉硅与含有氧化物质的气体，例如水汽和氧气在高温下进行化学反应，而在硅片表面产生一层致密的二氧化硅薄膜，这是硅平面技术中一项重要的工艺。氧化炉的主要功能是为硅等半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。

　　4.磁控溅射台磁控溅射是物理气相沉积的一种，一般的溅射法可被用于制备半导体等材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。在硅晶圆生产过程中，通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。

　　一种进行化学机械研磨的机器，在硅晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻技术对晶圆表面的平坦程度的要求越来越高，IBM公司于1985年发展CMOS产品引入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中，1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。

　　化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。在实际制造中，它主要的作用是通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体（半导体）进行研磨抛光。

　　又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，常用的光刻机是掩膜对准光刻，一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

　　7. 离子注入机它是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜等 。在进行硅生产工艺里面，需要用到离子注入机对半导体表面附近区域进行掺杂，离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型，离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量角度和深度等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，降低了成本和功耗。

　　8.引线键合机它的主要作用是把半导体芯片上的Pad与管脚上的Pad，用导电金属线（金丝）链接起来。引线键合是一种使用细金属线，利用热、压力、超声波能量为使金属引线与基板焊盘紧密焊合，实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通。在理想控制条件下，引线和基板间会发生电子共享或原子的相互扩散，从而使两种金属间实现原子量级上的键合。

　　在硅晶圆制造中，对晶片的尺寸精度、几何精度半导体设备、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求，因此在几百道工艺流程中，不可采用较薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。晶圆减薄，是在制作集成电路中的晶圆体减小尺寸，为了制作更复杂的集成电路。在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度，这一工艺需要的装备就是晶片减薄机。

　　当然了，在实际的生产过程中，硅晶圆制造需要的设备远远不止这些。之所以光刻机的关注度超越了其它半导体设备，这是由于它的技术难度是最高的雷火竞技，目前仅有荷兰和美国等少数国家拥有核心技术。近年来，国内的企业不断取得突破，在光刻机技术上也取得了不错的成绩，前不久，国产首台超分辨光刻机被研制出来，一时间振奋了国人，随着中国自主研发的技术不断取得进步，未来中国自己生产的晶圆也将不断问世。>

　　晶圆减薄机

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