2016年第01期

　　主管单位：中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所

　　主办单位：中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所

　　摘要：据初步统计，2015年我国规模以上电子信息产业收入总规模预计达到15．5万亿元，比2010年进入“十二五”前翻了一番。

　　摘要：科技部2月16日公布，国家重点研发计划已经正式启动实施，纳米科技、量子调控与量子信息、大科学装置前沿研究等9个重点专项2016年度项目申报指南已正式公布。

　　摘要：近日，工业和信息化部、国家发展改革委、科技部联合出台《关于加快石墨烯产业创新发展的若干意见》提出，着力构建石墨烯材料示范应用产业链，着力引导提高石墨烯材料生产集中度，加快规模化应用进程，把石墨烯产业打造成先导产业。

　　摘要：中新社北京1月8日电中国电子信息行业联合会与平安银行签署战略合作协议，双方将共同筹建2000亿元（人民币，下同）规模的电子信息产业基金。

　　摘要：美国总统奥巴马（BarakObama）在美国时间2月11日表示，他将签署美国参议院（U．S．Senate）通过的一项关贸法案，内容包括打击仿冒半导体元件的条款。

　　摘要：氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体关注。

　　摘要：东芝公司旗下半导体与存储产品公司近日宣布面向直流一直流转换器、电动助力转向系统（EPS）大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用推出40VN沟道功率MOSFET。MOSFET产品阵容的最新产品“TKR74F04PB”出货即日启动。

　　摘要：2016年1月5日消息，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商——大联大控股宣布，其旗下友尚推雷火竞技出STMDmeshM2系列的新款N-通道功率MOSFET——600VMDmeshM2EP。该系列MOSFET能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费性电子产品电源提供业界最高能效的电源解决方案，在低负载条件下的节能效果特别显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严苛的能效目标要求。

　　摘要：全球SiC领先者CREE推出了业界首款900VMOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiCMOSFETC3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源（spm）、电池充电器、太阳能雷火竞技逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。

　　摘要：Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料（overmoulded plastic，OMP）RF功率晶体管产品组合，采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。

　　摘要：IDT公司的F1423是业界首款在单一封装内集成有放大器和Balun的产品，能够直接与RFDAC和收发器相连。

　　摘要：Analog Devices，Inc．，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出一款集成压控振荡器（VCO）的锁相环（PLL）频率合成器ADF4355，移动网络运营商利用它可改善蜂窝基站性能和无线

　　摘要：横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布推出新款的集成微波宽带射频合成器STuW81300单片，可覆盖1．925GHz至16GHz的射频频段，创下IC市场上最宽频带和最高频率的记录。与基于Ⅲ—Ⅴ技术的低集成度的传统微波射频合成器相比，STuW81300采用意法半导体的具有业界领先性能的BiCMOSSiGe集成制造工艺，可降低组件雷火竞技成本，实现经济效益更高的多用途射频架构。