无锡首富之子29岁拿下半导体设备IPO！

　　三闯科创板！国产关键半导体设备商成功上市，宁德时代曾毓群、中芯国际持股。

　　芯东西12月23日报道，今日，江苏半导体薄膜沉积设备供应商微导纳米正式登陆科创板。

　　其发行价为24.21元/股，发行市盈率412.24倍，开盘价为29.90元/股，涨幅达23.50%；截至09点45分，股价最高上涨28.05%至31.00元/股，总市值约129亿元。

　　刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中，薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的16%，占晶圆制造设备投资总额的21%。

　　微导纳米在半导体领域设备实现了“卡脖子”技术突破，是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司，已在先进逻辑、先进存储、化合物半导体、新型显示等细分应用领域均取得了国内多家知名半导体公司的商业订单。

　　此前微导纳米获得了工信部2021年第三批专精特新“小巨人”企业、2021年苏南国家自主创新示范区独角兽企业、2020年度江苏省小巨人企业（制造类）等荣誉称号。

　　王燕清、倪亚兰、王磊是微导纳米的实际控制人。其中微导纳米董事长王磊为1993年生人，是王燕清与倪亚兰之子。

　　王燕清是全球新能源装备制造龙头先导智能的董事长、总经理。先导智能于2015年5月在深交所创业板上市，市值最高曾达1300亿元，截至昨日收盘时，市值为约634亿元。在2022年胡润全球富豪榜上，王燕清、倪亚兰夫妇以330亿元财富排名全球第647名，是江苏无锡首富。

　　本次IPO，微导纳米拟募资10亿元，投资基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产升级项目、集成电路高端装备产业化应用中心项目等。

　　薄膜沉积设备主要应用于光伏电池片、半导体晶圆的生产环节，直接影响光伏电池片的光电转换效率以及半导体器件性能。

　　薄膜沉积是指在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具有光学、电学等方面的特殊性能，按工艺原理可分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）设备，按设备形态可分为批量式（管式）和空间型（板式）两种技术路线。

　　微导纳米现有产品主要以批量式（管式）ALD设备为主，是国内少数能在短期内快速反馈并协助客户解决产线上ALD技术问题的设备厂商之一。

　　目前，半导体薄膜沉积设备中，PVD、CVD设备均已初步实现国产化，而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。

　　根据Gartner统计，2019年全球半导体薄膜沉积设备中，PECVD、PVD、ALD设备的市场规模占比分别为33%、23%、11%；2020年全球半导体薄膜沉积设备中PECVD、PVD、ALD设备的市场规模占比分别为34%、21%、12.8%。

　　薄膜沉积设备的不断创新和进步，支撑制造工艺向更小制程发展，所需的薄膜层数越来越多。

　　在90nm CMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nm FinFET工艺则超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。

　　半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性、精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，市占率也将持续提高。

　　当技术节点向14nm甚至更小的方向升级时，与PVD设备和CVD设备相比，ALD设备的必要性更加凸显。在国产化进程加快的背景下，国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。

　　我国半导体设备经过最近几年快速发展，但在核心设备化上的国产化率仍然较低。

　　半导体薄膜沉积设备行业基本由应用材料、先晶半导体（ASM）、泛林集团、东京电子等国际巨头垄断。

　　半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。

　　国内企业中，主营业务涵盖半导体薄膜沉积设备的主要有北方华创、拓荆科技、中微公司三家。

　　北方华创、拓荆科技分别主要经营PVD产品、PECVD产品，两家公司ALD设备曾实现销售，部分客户仍处于工艺验证阶段。中微公司主要为半导体客户提供刻蚀设备、MOCVD设备，ALD设备为其筹划开发产品。

　　微导纳米已开发出适用于光伏、半导体等应用领域的多款薄膜沉积设备，涵盖ALD、PEALD二合一、PECVD系列产品，并提供配套产品及服务。

　　其产品率先用于光伏电池片生产过程中的薄膜沉积环节，随后微导纳米又开发了对技术水平和工艺要求更高的半导体薄膜沉积设备。

　　微导纳米首套用于300mm（12英寸）晶圆的High-k栅氧层薄膜沉积的ALD设备已实现销售，实现国产ALD设备在28nm集成电路制造关键工艺（高介电常数栅氧层材料沉积环节）中的突破。

　　该公司已与多家国内半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等合作，针对国内半导体薄膜沉积各细分应用领域研发试制新型ALD设备。

　　本次募投项目达产后，微导纳米将新增年产120台光伏、柔性电子领域的ALD设备，以及年产40套半导体领域ALD设备的生产规模。

　　2019年、2020年、2021年、2022年上半年，微导纳米的营收分别为2.16亿元、3.13亿元、4.28亿元、1.56亿元，净利润分别为0.55亿元、0.57亿元、0.46亿元、-0.39亿元。

　　2019-2020年，微导纳米专用设备销售收入占主营业务收入的比例分别为93.59%、95.74%，均为ALD设备销售收入。

　　微导纳米的设备改造业务主要是匹配客户改造需求开展，2021年设备改造业务收入增幅较大，导致2021年专用设雷火竞技备销售收入占比降至70.29%；同时受市场电池技术过渡期间下游厂商扩产节奏短期调整及新品推出的影响，2021年其专用设备收入结构有所变化。

　　近年来，光伏电池片呈大尺寸化发展趋势。2019年光伏电池片市场以156mm尺寸为主；2020年156mm尺寸占比大幅下降，158mm和166mm尺寸合计比例达到77.8%。当时其客户产线mm或以下电池片生产，因此设备改造需求增加。

　　2021年、2022年1-6月，其新增PECVD设备与PEALD二合一设备销售收入、ALD设备销售收入占专用设备销售收入的比例分别为53.70%、44.18%。2020-2021年，微导纳米ALD设备订单数量短期减少主要是受到市场电池技术路线过渡阶段的暂时性影响。

　　截至2022年9月末，微导纳米在手订单合计19.75亿元，其中专用设备在手订单合计18.56亿元，设备改造业务在手订单合计1.15亿元。

　　微导纳米2022年营收预计为5.91亿元~6.78亿元，同比增长38.11%~58.44%；归母净利润预计为2300万元~4200万元，同比下降50.12%~8.92%。这主要系公司设备产品验收周期长，导致收入确认与因订单增加而相应增加的管理、销售费用周期不一致，以及持续加大研发投入导致研发费用增加所致。

　　截至2022年6月30日，微导纳米拥有206名研发人员，占总人数的25.50%，共有97项专利。其研发费用占比和研发人员占比高于同行业上市公司平均水平。

　　2021年，微导纳米首台半导体领域设备实现销售，毛利率为52.20%。故其半导体领域设备的毛利率高于同行业可比公司平均水平。

　　王燕清、倪亚兰、王磊系微导纳米的实际控制人。三人组成的家族通过万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈投资间接控制公司67.34%股份。在这三家持股平台中，王磊持股均在7~8成。

　　1966年4月，王燕清出生于江苏无锡的一个桃农家庭。1986年，从常州无线电工业学校模具设计与制造专业毕业后，他先是进入锡山无线电二厂，后因收入太低选择辞职，在2000年创立无锡先导电容器设备厂。

　　当时，他借了8万块钱作为启动资金，租了一间150平方米的破仓库做工厂，仅雇了两个60多岁的退休老工人，从三人公司做起。2002年，为了扩大企业规模，王燕清设立无锡先导自动化设备有限公司，担任董事长、总经理，该公司后改名为“无锡先导智能装备股份有限公司”。如今，先导智能已经成长为全球新能源装备第一品牌，去年营收突破100亿元，订单突破200亿元。

　　王燕清的妻子倪亚兰出生于1970年11月，初中学历，曾在2002年至2011年11月期间担任无锡先导自动化设备有限公司总经理办公室助理，后来先后无锡嘉鼎投资有限公司（上海卓遨前身）、欣导投资任职。

　　2015年11月，微导纳米的前身微导有限成立，注册资本2000万元，王燕清出资1735.4万元，占股比近87%。2015年12月，倪亚兰担任微导有限董事，并从2017年12月开始担任微导有限总经理一直到2019年12月。之后倪亚兰担任微导纳米董事。

　　王燕清与倪亚兰的儿子王磊出生于1993年11月，本科学历，毕业于新泽西州立大学计算机和数学专业。在喜开理（中国）有限公司、恒云太工作历练后，王磊从2018年10月开始担任微导有限董事长，从2019年12月至今担任微导纳米董事长。

　　王燕清为微导纳米聘请了多位60后、80后技术专家及高管，作为儿子日后的左膀右臂。

　　比如4名核心技术人员中，微导纳米副董事长、首席技术官LI WEI MIN（黎微明）出生于1967年，董事、副总经理LI XIANG（李翔）出生于1981年，两人均曾在ALD设备领军企业芬兰Picosun公司及先导智能任职。

　　微导纳米半导体事业部工艺副总监吴兴华出生于1980年，曾在中芯国际担任研发工程师；光伏事业部副总经理许所昌出生于1985年，曾在中国台湾工研院、昱晶能源、泰州中来光电就职。

　　在管理层方面，微导纳米总经理ZHOU REN（周仁）出生于1963年，曾在泛林、中微半导体、科磊（KLA）、拓荆科技等多家中美半导体设备龙头企业担任重要工程职位。

　　微导纳米副总经理胡彬出生于1983年，财务负责人俞潇莹出生于1984年，均曾是先导智能的高层。微导纳米董事会秘书龙文出生于1988年，曾在天星资本、翼朴资本担任投资经理。

　　王燕清也给对微导纳米核心团队授予了丰厚的股权报酬，其董事、监事、高级管理人员、核心技术人员直接持股份情况如下：

　　曾毓群及其一致行动人李平为宁德时代实际控制人，通过宁德时代控制问鼎投资100%股份；曾毓群还持有瑞华投资100%股权。本次发行前，问鼎投资、瑞华投资分别是微导纳米的第7大股东、第9大股东，分别持股1.59%、1.33%。

　　中芯国际旗下中芯聚源绍兴基金是微导纳米第8大股雷火竞技东，持股1.33%。微导纳米第11大股东上海君联晟灏为联想控股背景，持股1.03%。

　　截至2022年6月30日，微导纳米控股股东万海盈投资持有天芯微67.33%股权，倪亚兰担任天芯微董事长兼总经理、王磊担任天芯微董事。

　　天芯微成立于2019年8月，从事硅外延设备的研发、生产和销售，目前处于研发、验证阶段。硅外延设备主要用于生长单晶硅片，实现硅片表层向外延伸的目的。天芯微与微导纳米产品存在明显差别，不存在竞争和替代性关系。

　　微导纳米第3大股东聚海盈管理的普通合伙人为王磊，王磊持有聚海盈管理74.28%的财产份额；第10大股东德厚盈投资的普通合伙人为王燕清，王燕清、王磊分别持有德厚盈投资的21.00%、79.00%的财产份额。

　　微导纳米实际控制人控制的企业中，主要从事设备制造相关业务的有无锡先为、先导智能及其子公司。无锡先为主要研发外延片生产设备，先导智能及其子公司主要从事智能装备的研发设计、生产和销售，与微导纳米均不存在竞争关系。

　　这是微导纳米第三次冲击IPO，首次IPO申请是2020年6月，2020年12月终止，第二次IPO于2021年8月终止。

　　公司前次撤回申报的原因是报告期内存在委托给关联方先导智能委托经营管理的事项。微导纳米称，解除与先导智能的委托经营管理合作后，公司已经规范运营满两年，不存在对控股股东、实际控制人及其控制的其他企业的业务依赖。

　　2019年、2020年、2021年、2022年上半年，微导纳米专用设备产量分别为50台、75台、81台、42台，销量分别为38台、59台、59台、32台。

　　因为客户验收周期较长，其专用设备当期产量与销量的匹配存在一定的滞后性，在订单快速增长的背景下，产量将会高于销量。

　　报告期内，微导纳米已实现销售收入的主要客户群体包括晶硅太阳能电池片生产企业、半导体厂商及验证平台等。

　　在半导体领域，微导纳米是ALD设备行业内极少数的新进入者和国产厂商代表之一，先后获得多家知名半导体公司的商业订单。

　　报告期内，微导纳米对前五名客户的销售金额合计分别为1.32亿元、2.99亿元、3.60亿元、1.44亿元，占主营业务收入的比例分别为61.28%、95.66%、84.18%、92.97%。

　　报告期内，微导纳米、微导纳米董事、监事、高级管理人员或持有公司5%以上股份的股东与前五名客户之间不存在关联关系。

　　报告期内，微导纳米进口的核心元器件采购金额分别为0.28亿元、0.19亿元、0.46亿元、0.34亿元，占采购总额的比例分别为21.18%、7.87%、15.80%、12.45%。

　　截至2022年6月末，微导纳米采购的外腔体、加热炉体、石英管、石墨舟、炉管均为国产产品，气路支板装配体、源瓶、等离子体电源等原材料采购已基本实现国产化，臭氧发生器、气动阀件、真空压力计等需全部或部分从国外进口。

　　2022年6月末，微导纳米流动资产为16.16亿元，其中货币资金为2.63亿元，流动负债为8.61亿元，营运资本为7.54亿元，公司所有者权益合计8.45亿元。

　　全球半导体设备市场集中度较高，前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。

　　根据VLSI Research数据，2020年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入708亿美元，市占率为76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚，目前尚未进入全球行业前列。虽然微导纳米为少数进入半导体领域的ALD国产厂商，但目前占半导体设备整体市场份额的比例较低。

　　2020年、2021年，中国大陆市场约占全球半导体设备市场比例分别为26.30%、28.87%。中国大陆已成为全球第一大半导体设备需求市场。据SEMI统计数据，2013-2021年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到31.07%。2021年，中国大陆半导体设备的销售额达到296.2亿美元，同比增长58.23%，发展势头强劲。

　　《中国制造2025》对于半导体设备国产化提出明确要求：在2020年前，90-32nm工艺设备国产化率达到50%，实现90nm光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年前，20-14nm工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。

　　伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，国内新建、扩建生产线以及国产化替代的需求快速增长，以及国产半导体设备产品的技术性能不断提升，集成电路制造的设备端国产替代趋势明显，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机。

　　而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。