雷火竞技半导体专用设备

　　主要技术指标： 可配工艺管外径：2-8英寸 可配工艺管数量：1-4管/台 工作温度范围：400-1286℃ 恒温区长度及精度：300-1100mm 800-1286℃0.5℃ 单点温度稳定性：800-1286℃0.5℃/24h 最大可控升温...

　　■ 主要技术指标 ◆常用工作温度：300~1000℃ ◆使用温度：0~1200 ◆恒温区精度：1℃ ◆恒温区长度：600mm ◆升温功率：10KVA ◆保温功率：5KVA ◆开机重复性：1℃ ◆冷态线Pa ◆...

　　■主要技术指标 ◆结构型式：立式，（可旋转移动） ◆适合2~6 晶体生长工艺（可定制） ◆炉体有效加热长度：1200mm ◆最高工作温度：1300℃ ◆恒温区精度（静态闭管）：0.5℃ ◆升温...

　　■主要技术指标 ◆结构型式：立式，（可旋转移动） ◆适合2~6 晶体生长工艺（可定制） ◆炉体有效加热长度：1200min ◆最高工作温度：1300℃ ◆恒温区精度（静态闭管）：0.5℃ ◆升温...

　　■ 主要技术指标 ◆ 结构型式：单管水平式，加热炉体可左右移动 ◆ 适合2～3晶体生长工艺（可定制） ◆ 炉体有效加热长度：1600mm ◆ 最高工作温度： 1300℃ ◆ 升温速率（室温～126...

　　■ 设备优势 ◆ 温度控制：采用进口稳定可靠的智能仪表，能够实现整个工艺过程的自动精确控温。 ◆ 生长材料定位系统：以进口直线电机为主体，系统定位精确且无抖动，加速度大...

　　主要特点： 立式连续制备 工艺管：大口径石墨管 碳纳米管设备碳源：雾状喷洒，单头/多头 加热方式：立式多层加热器 设备不间断长期运行，特殊的省电设计和特点设计 立式长工艺管...

　　主要参数（可按需求定制） 工艺管径：60mm 工作温度：1020-1050℃ 恒温区：120mm 线Pa 真空恒压：手动/自动 碳源气体：甲烷CH 4 其他气体：氢气、氮气...

　　主要特点： 石墨烯薄膜产业化设备 宽幅卷对卷连续生长 APC系统；真空蝶阀自动控制 碳源等工艺气体MFC控制 薄膜制备过程全自动控制 三腔室结构 主要参数： 工作温度：1020-1050℃ 恒温...

　　主要特点： 石墨烯薄膜晶圆生长产业化设备 APC系统；真空蝶阀自动控制 碳源等工艺气体MFC控制 快速冷却功能 薄膜制备过程全自动控制 片舟方式 主要参数（可按需求定制）： 腔室直...

　　该设备主要用于纳米材料工艺涂层、多晶硅、氮化硅、扩散、氧化、退火等工艺。 ■ 设备系统简介 ◆ 结构型式：卧式，单管或多管系统自动控制 ◆ 适应晶体尺寸：2-8 ◆ 送取片方式...

　　主要特点： 产能：1200片/管 管数：5管 系统控制：PLC和PC控制基础 通讯：Melsec, MES, I/O, SECS-II等 自动化集成：用于客户优化和MES控制集成的全自动化解决方案 硬件规格： 恒温区长度：...

　　主要特点： 产能：最大1200片/管 管数：5管 压力控制：PLC和PC工控机 通讯：Melsec, MES, I/O, SECS-II等 自动化集成：用于客户优化和MES控制集成的全自动化解决方案 工艺规范： 方阻值：50...

　　◆ 用工控机对工艺时间雷火竞技，温度半导体，气体流量，阀门动作，反应室压力实现全自动控制。 ◆ 采用进口压力控制系统，闭环系统，稳定性高。 ◆ 采用进口耐腐蚀不锈钢管件雷火竞技、阀门，确保气...

　　◆ 闭管磷扩散，带有工艺废气冷却定向回收装置，工艺废气集中收集从尾部定向排出；工艺气体(三氯氧磷)可采用喷淋式方式引入到石英管内。闭管扩散方式工艺过程完全不受外界环...

　　人数：4人 专业：电气自动化、机电一体化（电气类） 学历：本科以上；...

　　人数：4人 专业：机械设计制造与工艺、机电一体化（机械类） 学历：本科以上；...雷火竞技雷火竞技