雷火竞技半导体设备大全

　　雷火竞技雷火竞技雷火竞技雷火竞技Semiconductor International杂志每年都要给一些半导体供应商颁发编辑评选出的最佳产品奖 Editors Choice Best Product Awards 以表彰其产品在半导体制造中的卓越表现。Semiconductor International的评选范围包括前段和后段半导体制造 包括组装、制造、质量控制、器件检查和测试中的先进产品 以及各种有助于提高性能的材料。今年一共有15种产品获得了Editors Choice Best Product Awards奖。其中 Inficon公司的FabGu

　　半导体设备大全本资料由豆丁若莲文档搜集更多文档请点击杂志每年都要给一些半导体供应商颁发编辑评选出的最佳产品奖(EditorsChoiceBestProductAwards),以表彰其产品在半导体制造中的卓越表现。SemiconductorInternational的评选范围包括前段和后段半导体制造,包括组装、制造、质量控制、器件检查和测试中的先进产品,以及各种有助于提高性能的材料。今年一共有15种产品获得了EditorsChoiceBestProductAwards其中,Inficon公司的FabGuard荣膺GrandAward奖项。获奖产品来自瑞士、德国、新加坡、以色列和美国,真正体现了当前半导体制造业的国际发展趋势。GrandAward：InficonInficon公司的FabGuard监控系统获得了2004度GrandAward奖。FabGuard通过PVD、蚀刻、离子注入、CVD和扩散等工艺的数据整合和分析,提高了设备的综合使用效率,从而最大限度地提高了生产率。该整合和分析系统能够自动地从设备和传感器端获取各种有价值的数据,进行组织、分析和存储。通过成熟、有效的分析手段,FabGuard可以对当前和过去的运行状况进行不断的比较,可靠地检测到终点和故障,提高工艺控制水平。一旦出现超出控制规格的情况,FabGuard会即时指出原因并提醒相关人员注意,缩短故障停机时间。公司的黑金刚石介电膜是基于氧化硅的介电材料,可以通过无氮等离子体增强化学气相沉积(PECVD)反应制备,介电常数小于3.0,适用于嵌入式铜互连制程,不需要后续固化或额外的沉积后处理。它具有优异的抗潮气性能、稳定的k值(蚀刻和光刻胶去除后变化很小)、很好的CD控制能力、优良的抗裂化和热传导性能以及足够的硬度,可直接用于CMP工艺和器件封装。黑金刚石工艺使芯片制造商可以利用传统的CVD设备和硅材料在铜互连结构中引入低k电介质。该技术能够提供3.0~2.0范围内的各种介电常数,与铜导线的低电阻特性相结合后,可以在200mm或300mm晶片上制造出各种功能强大的芯片,大大提高了芯片运行速度、降低了功耗。目前,该低k介电材料已被多家公司用于130nm和90nm先进工艺的生产和研发。是KLA-TencorCorp.公司为分辨率提高技术(resolutionenhancementtechniques,RETs)设计的掩膜版检查系统。RETs技术是延伸248nm和193nm光刻应用范围的有效手段。因为RETs的关键是次分辨率光学近似校正(OPC)和先进的相位移技术,所以248nm193nm光刻技术的延伸使掩膜版出错率增高。该设备能够对RETs进行全面检查,通过高分辨率UV光学系统还能用于90nm和130nm工艺。由于这项新技术采用了具有独特图形检查算法的三光束检查,因此可以使复杂的低k1掩膜版获得最大的成品率。该算法涉及线宽、先进的OPC技术以及相位移掩模版(PSM)几何分布等,检查速度快、出错率低。高速度和高灵敏度的优点使该产品非常适合于光掩膜版加装保护层前后的检查、先进掩膜版质量控制以及掩膜版质量的重新认公司的Swissline9022HSL为300mm晶片设计的薄膜/芯片接合系统。其目标是针对成本比较敏感的存储器(DRAM、flashRAM等),这些存储器将被封装在导线框架或基板上。该平台具有适用性强、可模块化生产的特征,可以处理基于环氧树脂的各种封装(TSOP,CSP,BGA,TFBGA等)以及基于薄膜的各种应用。该系统拥有300mm晶片处理子系统专利技术,能通过晶片/引线框架适配器快速切换,在最小的占地面积内实现产品转换。Multiplepistons结构可以对材料厚度(例如芯片雷火竞技、薄膜和衬底厚度)的变化进行补偿,提供分布均匀的力,一步完成多层芯片的堆叠雷火竞技。所有参数(温度、压力、时间)均可通过编程调节,固化温度最高可达250C。该系统还具有独特的晶片垂直处理技术,芯片抓取和接合间距很小,生产速度很快。此外,它还可以同时处理两片晶片,额外增加了10%的生产效率。公司的IDEALmold一套自动成模系统,可独立运行,也可用于在线设备。在线应用时,该系统能够与半导体封装上游或下游设备,例如打线机、成模后固化炉、激光标记、整修和排列系统相匹配。适用范围涵盖了各项主流技术,例如先进的QFN封装、智能卡、预成模封装、环氧树脂成模等。有不同压力(80吨和/或100吨)可供选择,分别满足高、中、低产量的需求。该系统能用于大面积(75mmx250mm)导线框架和衬底。对于QFN、倒装芯片、芯片外露CS-BGA等封装来说,模盖(moldcap)最小厚度可达0.1mm。它具有导线框架/衬底自动处理系统、用于工艺持续控制的闭环反馈监控系统、光学检查系统、防止外物损伤影响成品率的保护装置以及4~10小时的出色的需要辅助平均间隔时间(meantimebetweenassist,MTBA)。公司的Stiletto激光扫描颗粒探测器是一套颗粒监控综合系统。先进的原位激光扫描颗粒探测器可以对半导体工艺设备中的真空反应器和真空管道进行亚微米污染物(颗粒)的多方位监测,具有很高的灵敏度。例如,Stiletto可以检测每片晶片溅镀和蚀刻反应时检测反应器的颗粒状况。该探测器可以检测到最小尺寸小于0.25um的颗粒,确保能够即时发现致命性缺陷(killerdefects),降低产品损失。它还具有新颖的自动纠错技术,可以减少假颗粒数目。作为高度综合的工艺监测系统,该设备能够在发现问题时及时停止溅镀和蚀刻工艺,保证其它产品不会受影响。它还可以通过简单易操作的界面与FabGuard传感器整合和分析系统兼容,同步进行数据收集和分析,实现先进的工艺实时控制,提高晶片成品率和半导体设备生产效率。公司的ILS500S激光微加工系统将双激光微加工系统整合成单激光微加工系统。它具有花岗岩结构基座,高功率开关固态UV激光(355nm)和193nm、248nm脉冲激光准分子激光器。气载工作台可以处理150mm以下晶片,移动速度为500mm/sec,此外还有四个CCD照相机与图像处理和显示系统相连接,提供高分辨率自动对准功能。 该设备还装备了终点探测系统,通过工艺过程中激光诱发等离子体的光谱分 析控制激光钻孔深度,因此可以通过晶片钻孔探测到晶片背面的薄层和涂层结构, 而不需要穿钻透这些涂层。 公司的2300 Exelan 电介质蚀刻系统适用于200mm 和300mm 晶片上的电介质蚀刻,该技术能满足从 180nm 到130nm 以下工艺的各种要求。Exelan 系统中,反应活性等离子体被半导 体级材料限制在晶片上方很小的体积范围内,从而在体积较大的工艺反应器内部 形成了一个超净反应器。等离子体中产生的离子、电子和反应活性中性粒子通 过物理手段被限制在很小的范围内,同时蚀刻反应产生的副产物和没有反应的气 体可以从内部反应器中被排除出去。蚀刻过程中生成的保护性聚合物也被限制 在内部反应器中,但是可以在后续工艺步骤之间通过合适的去除等离子体清理 掉。等离子体的小体积有限空间使反应活性粒子自由时间变得非常短。 应用范围包括氧化物和低k 双嵌入式结构的蚀刻,同时具有原位光刻胶和后 段(BEOL)停止层去除能力；此外还包括高纵宽比接触孔、自对准接触孔、栅极 和浅沟道隔离掩模层蚀刻、侧间隙壁(spacer)和保护层(passivation)蚀刻等。 该系统还可于一些特殊工艺,例如双嵌入式结构中的光刻胶回蚀、干法形成双层 光刻胶掩膜版等。 溅镀靶是Honeywell 公司的独特技术,适用于铝铜溅 镀,能显著提高溅镀金属的性能。ECAE 溅镀产品具有超细金属颗粒(比传统技术 小10~100 倍)、非常均匀的微观结构、很高的机械强度,而且可以控制其微观结 构。ECAE 技术赋予溅镀工艺出色的性能表现,例如电弧放电低、溅镀靶使用寿 命长、可进行高能溅镀等,形成的金属膜结构均一、金属颗粒很小。 ECAE 技术适用于微通孔填充和金属薄膜沉积,已经过许多常规铝溅镀技术 的验证半导体设备。由于能形成超细金属颗粒,因此ECAE 可以使微通孔铝填充技术延伸至 180nm 以下工艺半导体设备。 公司的LEO 1540XB CrossBeam 系统是超高分辨率场发射SEM 和聚焦离子束(FIB) 系统的组合,用于半导体失效分析或研发时样品截面的制备以及在晶片上预先选 定的位置制备TEM 样品。所得截面用于分析复杂器件中的多层3D 结构、确定缺 陷起源层并进行量测；TEM 样品则可以进行纳米水平的结构分析。 该系统具有FIB 操作过程中实时显示SEM 影像的独特功能。选装件包括多 通道气体注入系统、质谱分析仪、专用气压过渡舱(airlocks),EBSP,EDS,WDS 和其它分析探测器。其主要优势包括全电压范围内的超高分辨率SEM、FIB 同时 显示SEM 影像、电子束和离子束互相整合以及充分开发的应用软件。 公司的PICO 真空氦气泄漏探测器是基于小型质谱仪的气体泄漏侦测仪器,选装件包括吸取探 头和充电前可持续三小时不间断工作的电池。该气体泄漏探测器适用于蚀刻、 CVD、PVD、离子注入和其它工艺中的半导体设备。通常,为了保证质量和产量, 尽量缩短故障停机时间,每个半导体厂需要配备10~20 台气体泄漏探测器。 该探测器采用了先进的质谱和真空技术,很容易携带,不需要体积庞大的推 车。探测器很轻(17 磅),可真正实现便携移动。它具有以下特点：最小可探测 气体泄漏速率为10-10 atm cc/sec,涡轮真空泵和质谱仪具有自保护功能,可显 示泄漏速率历史记录,响应和清除时间很快,可移动手持式显示器以及具有组合 真空系统(涡轮/旋转真空泵)。 公司的Model NPS3301 CMP 设备是用于标准沉积工艺形成的铜、Ta/TaN 电介质薄膜表面的抛光系统。它可以用于65nm 器件多层内连接结构中易碎超低k 电介质的研 磨。为了做到这一点,该设备采用了特殊的抛光结构,压力比目前的工业标准小 一个数量级,达到了65nm 工艺性能的要求。该设备的主要特点有：超低抛光压 力(0.05 psi)、高生产速度、抛光均匀性和平整性好,能满足 65nm 工艺的要求、 可使用现有耗材、降低了研磨浆(slurry)的浪费、占地面积缩小了10%。 公司的DRP 系列超高纯 度含氟聚合物放射状隔膜阀满足了可靠性、高性能和高纯度的要求。其设计适

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