雷火竞技国内半导体设备行业佼佼者--中微公司

　　中微公司是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司，公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向全球集成电路和LED芯片制造商提供极具竞争力的高端设备和高质量服务，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案，助力他们提升技术水平、提高生产效率、降低生产成本。

　　中微公司基于在半导体制造设备产业多年积累的专业技术，公司的等离子体刻蚀设备已在国际一线纳米的集成电路加工制造及先进封装中有具体应用；公司的MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列、国内占领先地位的氮化镓基LED设备制造商，MOCVD设备市场份额28%，排名第二。

　　业务板块主要分为专用设备以及备品备件，其中以专用设备为主，2016-2020专用设备复合增速在38.雷火竞技56%，2021年上半年营收增长51.62%；备品备件主要是半导体设备一些零部件的销售，随着半导体设备销售的增长也逐渐增长。

　　公司毛利率水平基本维持在比较稳定的水平，2019之后随着半导体行业步入景气周期，公司毛利雷火竞技率逐渐稳步向上。

　　这里应当注意一点，就是公司近几年政府补贴力度加大，以及公司对中芯国际的投资中获得了不错的收益，这两个部分对公司京润段贡献在近几年中占了比较大的比重，使得公司在净利润端出现较快的增长。

　　销售费率以及管理费率基本比较稳定；研发费率则保持在比较高的水平，近几年呈现下降的趋势，2020年研发投入总额为6.40亿元，较2019年的研发投入总额增长39.16%，这主要是由于本期用于研究开发新的工艺，主要包括存储器刻蚀的CCP和ICP刻蚀设备、Mini-LED大规模生产的高输出量MOCVD设备、Micro-LED应用的新型MOCVD设备等。

　　从股权结构来看，公司主要股东包括国有股东、国内知名股权投资基金、国外知名投资机构、创始人及员工持股平台持股等，无实际控制人。目前公司超40%的股份属于国有股东持股，其中第一大股东上海创投持股比例为18.02%，第二大股东为国家集成电路产业基金（巽鑫投资），持股比例17.45%。公司高管均具有丰富的半导体设备制造企业从业经验，且具有有效而全面的股权激励机制，以锁定人才，有助于公司业绩实现长期稳定增长。

　　上面这张图基本涵盖了半导体制作整个过程以及对应的设备情况，半导体设备中刻蚀设备、沉积设备以及光刻设备在整个设备链条中均占比25%，是设备链条中比较重要的三个环节。

　　干法刻蚀和湿法刻蚀，湿法刻蚀是用液体化学试剂以化学方式去除硅片表面的材料，但由于其在线宽控制和刻蚀方向性等多方面的局雷火竞技限，在3m以后的工艺中不再使用。

　　干法刻蚀主要包括金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀，其中金属刻蚀主要用于金属互连线的铝合金刻蚀、制作钨塞及接触金属刻蚀；介质刻蚀主要用于制作接触孔和通孔；硅刻蚀主要用于制作MOS栅结构的多晶硅栅和器件隔离或DRAM电容结构中的单晶硅槽

　　相比湿法刻蚀，干法刻蚀的优点是刻蚀剖面各向异性，具有较好的线宽控制能力，同时由于不采用化学试剂，减少了化学玷污问题以及材料消耗和废气处理费用等：

　　介质刻蚀的CCP刻蚀为主，北方华创以用于硅刻蚀和金属刻蚀的ICP刻蚀为主。

　　（1）中微公司等离子体刻蚀设备的发展等离子体刻蚀设备包括电容性等离子体刻蚀设备（CCP,CapacitivelyCoupledPlasma）和电感性等离体刻蚀设备（ICP,InductivelyCoupledPlasma）。电容性等中微公司从2004年建立起首先着手开发甚高频去耦合的CCP刻蚀设备PrimoD-RIE，到目前为止已成功开发了双反应台PrimoD-RIE，双反应台PrimoAD-RIE和单反应台的PrimoAD-RIE三代刻蚀机产品，涵盖65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。

　　在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65纳米到5纳米等先进的芯片生产线上；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求，已开发出小于5纳米刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5纳米以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。

　　在3DNAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层及以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。此外，公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产，根据客户的技术发展需求，正在进行下一代产品的技术研发半导体设备，以满足5纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3DNAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出的ICP刻蚀设备的研发。

　　在逻辑电路方面，目前公司产品已在65-28nm成熟逻辑工艺，以及7nm/5nm先进逻辑工艺中承担钝化层、顶层金属、通孔、中间层金属，晶体管层多晶硅栅隔离墙等介质刻刻蚀任务，相关机台在海内外知名代工/IDM厂商中获得了重复订单。而对于设备价值量更高的ICP刻蚀机，由于机台2016年才成功研制，我们认为公司相关收入相比CCP仍然处于较低水平，应用主要为12寸成熟制程的多晶硅栅极刻蚀等（我们认为主要是40nm及以上制程）。未来公司计划将研发重点放在逻辑器件的大马士革刻蚀（主要用于金属层沟槽及通孔的一次成型）、以及涉及器件关键尺寸的高端硅刻蚀等应用场景。

　　而对于3DNAND存储器方面，目前公司CCP刻蚀产品也已经批量获得长江存储的采购订单。以长江存储应用于64层产品的X-tacking工艺为例，结合公司2019年年报业绩会披露，我们认为目前公司的刻蚀设备主要在存储单元及CMOS逻辑电路连接部分的金属通孔、沟槽刻蚀步骤中得到量产应用，未来公司计划将着重突破技术难度更高的位线（word-line）接触孔刻蚀、以及沟道孔（channelhole）高深宽比刻蚀应用。

　　接着是2020开始行业新一轮复苏周期，随着行业的增长以及资本开支的增长以及结合Gartner权威机构预测，行业增速以及资本开支将在2021年达到峰值，进而进入下降周期。

　　总的来看，行业周期性比较明显，随着行业资本支出的增长，市场热度上来，半导体市场紧随着出现较大幅度的增长，高速增长后便是迎来增速下降，进而出现负增长，行业进入衰退期，进而萧条，进而迎来复苏，周而复始，周期性特征非常明显，基本以四年一个周期进行循环。

　　竞争格局头部华特征明显，全球半导体刻蚀设备市场目前主要由美国、日本企业主导，呈现明显的寡头竞争趋势。据Gartner统计，按照刻蚀机收入衡量，2019年排名第一的拉姆研究（LamResearch）在刻蚀设备行业的市场占有率约45%，排名第二的东京电子（TokyoElectron）的市场占有率约28%。应用材料（AppliedMaterials）位于第三，约占18%的市场份额。

　　前三大公司在2019年占据刻蚀设备总市场份额的91%。头部公司占据90以上的市场份额，剩下小部分份额集中到尾部公司，中微公司在电容型刻蚀设备中大约有2%左右份额。

　　2019年中国刻蚀设备27亿美金规模，本土厂商需求14亿美金，占比50%；预计到2025年中国刻蚀设备规模为40亿美金，中国为22亿美金；2019年中微公司在中国刻蚀份额:8.73/175=4.989%（其中以CCP为主，ICP也有）2019北方华创在中国刻蚀份额：27*0.6=9%（其中以ICP为主）。

　　公司的MOCVD设备PrismoD-Blue、PrismoA7能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4英寸外延片加工能力。公司的PrismoA7设备已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位。公司研发了用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备PrismoHiT3，已在行业领先客户端用于深紫外LED的生产验证并获得重复订单；制造功率器件用MOCVD已在客户芯片生产线上投入试用；用于Mini-LED生产的MOCVD设备PrismoUniMax™已收到来自国内领先客户的订单，同时，公司正在与更多客户合作进行设备评估；此外，制造MicroLED等应用的新型MOCVD设备也正在开发中。

　　2017年起的中国厂商大规模扩产，2018年起LED产业逐渐走向供需失衡，2019年LED企业投资大幅削减导致MOCVD设备行业出现倒退，使得MOCVD设备出现负增长，未来Mini/Micro-LED，及第三代化合物半导体相关应用放量，将驱动行业重回增长，主要由于新应用会带来MOCVD机台价值量及数量的双重提升，预计2020年起，全球MOCVD市场规模将会持续上升，在此假设下，市场规模将从2020年约5亿美元增长至2024年的约12亿美元，复合增速约30%。其中氮化镓MOCVD设备市场规模也会随之增长，将从2020年的约3亿美元增长至2024年约10亿美元雷火竞技。

　　2017年各大厂商大规模扩产，2018年起LED产业逐渐走向供需失衡，2019年LED企业投资大幅削减导致MOCVD设备行业出现倒退，使得MOCVD设备出现负增长，未来Mini/Micro-LED及第三代化合物半导体相关应用放量，将驱动行业重回增长。

　　在2019年市场份额中，中微公司市场份额由之前的24%上升到28%，在MOCVD市场中排第二，预计2020年起，全球MOCVD市场规模将会持续上升半导体设备，市场规模将从2020年约5亿美元增长至2024年的约12亿美元，复合增速约30%雷火竞技。其中氮化镓MOCVD设备市场规模也会随之增长，将从2020年的约3亿美元增长至2024年约10亿美元。

　　半导体设备行业壁垒高，发展节奏快，通常认为其投入有个“阈值”，只有超过“阈值”才会起作用，要保证足够的投入强度，任何“小打小闹”都无法实现真正意义上的突破，且投入必须是持续、稳定、不间断的，一旦停顿就可能陷入落后和被动，因此行业新进入者很难取得突破，所以来讲，基本上就是当下玩家的市场，新进入者发展壮大的机会比较小。

　　半导体整个产业链均是技术密集型产业，目前对于我们国家来讲是卡脖子的行业，对于国家来讲是至关重要的一个环节，特别是近几年中美贸易摩擦以及美国对中国高技术企业的无理打压，让我们国家深深意识到拥有核心技术自主权的重要性，因此国家对需要核心技术的产业强力支持其发展，尤其是半导体行业，每年国家都会掏出许多资金扶持产业链中的企业发展，

　　目前每年中微公司会收到1个亿以上的国家补贴，由于国家每年都会进行补贴，中微公司把该项收入定义为每年可持续获得的收入，补贴占据了公司每年净利润的大部分，另外公司每年在研发投入上也会获得国家的大力资助，由此可见国家对公司扶持力度之大。

　　2019年中国刻蚀设备27亿美金规模，本土厂商需求14亿美金，占比50%；预计到2025年中国刻蚀设备规模为40亿美金，中国为22亿美金；2019年中微公司在中国刻蚀份额:8.73/175=4.989%（其中以CCP为主，ICP也有）2019北方华创在中国刻蚀份额：27*0.6=9%（其中以ICP为主）。

　　短期估值可以见万得券商一直预期，2021年对应31.5营收，归母雷火竞技净利润在5.68亿元。

　　估值总结：当前半导体是处于周期上升阶段加上趋势投资阶段，市场景气度非常高，给到的估值也是相当惊人，目前市场的估值已经基本上是5年后终局的估值了，所以相对来讲算是比较高的位置，短期营收以及利润的估值也就没有太大的参考性，但是通过短期营收对比可以对比知道当前风险大概有多高；建议当前在中微上面投资可以采用趋势投资的方法进行投资，顺势而为，因为泡沫大家都不知道会吹到哪里去，跟着趋势走就是了，但是一旦板块有明显歇火出现拐头现象就应当果断离场，因为这个一旦杀估值也可以有不亚于今年大白马腰斩的程度；