绝缘体上硅(SOI)硅片由顶层硅膜、埋氧层和硅衬底三部分组成。随着集成电雷火竞技路技术的发展,体硅衬底CMOS集成电路面临着诸…
鳍式场效应晶体管(FinFET)是立体多栅器件的一种半导体设备,其主要特征是由鱼鳍形(Fin)的薄层硅构成折叠的导电通道雷火竞技,并由双面…
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)是集成电路最重要的基本…
美国于近日确立了促进国内半导体生产的法案“CHIPS and Science Act(CHIPS法案)”半导体设备,但三星电子( El雷火竞技ectronics…
体硅衬底和绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)衬底是硅基集成电路制造业最基本的原材料。关于多晶硅材料制备雷火竞技、硅单…
集成电路制造工艺一般分为前段(Front End of Line, FEOL)和后段(Back End of Line, BEOL)。前段工艺一般是指晶体管…
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