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　　批量式氧化膜去除设备是一种具有间歇性预清洗的设备，可以应对难以清除的自然氧化膜，如LSI的深层接触底部。有200毫米和300毫米的晶圆尺寸可供选择。

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　　等离子CVD设备CC-200/400结构紧凑，使用方便，符合工艺研发和大批量生产的要求。

　　用于研发的高密度等离子刻蚀设备采用了磁场ICP的工艺方法，单晶片处理类型的LL室作为标准设备，空间占用很小，操作简单雷火竞技雷火竞技，应用效率高。

　　可进行大规模生产的干式蚀刻设备，配有ULVAC专利的磁中性线等离子（NLD）可实现低压、低电雷火竞技子温度、高密度的等离子的干雷火竞技式蚀刻设备。