雷火竞技半导体前道七大类设备以及目前半导体设备国产替代的现状

　　雷火竞技雷火竞技半导体设备分为前道设备（晶圆制造）、封装设备与测试设备雷火竞技。前道设备占据整个市场的80%-85%。其中光刻机、刻蚀机和薄膜设备价值最高。

　　1、光刻机：光刻机以支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长等为主要性能指标，其中投影透镜的分辨率、对准精度与吞吐量是三大关键指标，随着晶体管的曝光精度从几微米缩小到几纳米，相对应的光刻机制造难度也极度上升。光刻工艺费时费力，在整个芯片制造中是最复杂、最精细的工艺，处在核心地位雷火竞技。光刻过程中需要用到光刻机、涂胶显影、清洗及测量设备，荷兰ASML公司的光刻机处在绝对领先地位。

　　2、刻蚀机：刻蚀工艺分为导体刻蚀、介质刻蚀及多晶硅刻蚀;泛林、东京电子、应用材料总计占市场份额超过9成，国内厂商未来发展空间良好;东京电子在介质刻蚀设备占据53%市场份额，泛林在介质刻蚀设备占据38%市场份额，泛林和应用材料在导体刻蚀设备分别占据54%和30%市场份额。国内相关厂商如中微公司、北方华创等企业处于追赶阶段。

　　3、薄膜沉积设备：薄膜沉积方式分为ALD、CVD、PVD。CVD是通过化学的方式在硅片表面沉积薄膜的工艺，ALD工艺是直接在芯片表面生成薄膜，目前应用范围越来越广，PVD技术则是在真空条件下沉积薄膜的工艺。目前薄膜沉积设备占据半导体前道设备最大市场份额。

　　4、清洗设备：DNS(台湾迪恩士半导体科技股份有限公司)是全球半导体前道清洗设备的龙头企业，国内盛美上海、捷佳伟创也在逐渐发展。

　　5、化学机械抛光工艺设备：化学机械抛光工艺CMP，为集成电路制造中晶圆均匀平坦化的关键，有着不可替代的重要作用。应用材料占据全球CMP设备约6成市场份额;国内华海清科拥有核心自主知识产权，在CMP商业量产方面已实现突破半导体设备，CMP设备出口国外。

　　6、离子注入机：离子注入是集成电路制造掺杂主要工艺，在器件精细方面有重要作用，且随着芯片设计日益复杂化，离子注入工序也会越来越复杂半导体设备。离子注入机主要包括大束流、中束流和高能离子注入机，目前由美日企业垄断相关市场，应用材料为最大供应商，国内万业企业子公司凯世通为离子注入机龙头企业。

　　7、热处理设备：热处理设备广泛应用在半导体集成电路、先进封装、电力电子等方面的制造，包括氧化、扩散、退火等工艺，小结构图形化所需要的工序数量增加逐渐成为了关键热处理技术。

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