半导体设雷火竞技备龙头股

　　半导体设备一般指生产各类半导体产品所需的生产设备，是半导体产业产业链中的关键支撑环节。这次小编在这里给大家整理了半导体设备龙头股一览，供大家阅读参考。

　　2022年第二季度北方华创公司主营为电子工艺装备、电子元器件等，收入为41亿元、13.34亿元，占比为75.31%%、24.51%%。

　　财报显示， 2022年第二季度，公司营业收入33.08亿元;归属上市股东的净利润为5.48亿元;全面摊薄净资产收益 3.13%;毛利率47.5%，每股收益1.04元。

　　2022年第二季度长电科技公司主营为A板块、B板块、分部间抵销等，收入为98.6亿元、61.72亿元、-4.39亿元，占比为63.23%%、39.58%%、-2.81%%。

　　财报显示， 2022年第三季度，公司营业收入91.84亿元;归属上市股东的净利润为9.09亿元;全面摊薄净资产收益 3.91%;毛利率17.07%，每股收益0.51元。

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　　2022年第二季度中微公司公司主营为刻蚀设备收入、MOCVD设备收入等，收入为12.99亿元、2.41亿元，占比为84.35%%、15.65%%。

　　中微公司发布2022年第三季度财报，实现营业收入10.71亿元雷火竞技，同比增长45.92%，归母净利润3.25亿，同比123.91%;每股收益为0.53元。

　　1、三安光电(600703)：公司从事化合物半导体材料的研发与应用。11月24日消息，三安光电今年来涨幅下跌-107.25%，最新报18.080元，跌3.73%，成交额17.48亿元半导体设备。

　　2、捷佳伟创(300724)：公司主要从事晶体硅太阳能电池生产设备。11月24日开盘消息，捷佳伟创5日内股价上涨7.47%，今年来涨幅上涨20.49%，最新报133.940元，涨0.01%，市盈率为63.18。

　　3、东山精密(002384)：公司业务有精密金属制造和精密电子制造。11月24日消息，东山精密截至收盘，该股跌2.93%，报26.520元;5日内股价下跌2%，市值为453.46亿元。

　　4、盛美上海(688082)：公司主营业务为半导体专用设备。11月24日消息，盛美上海5日内股价下跌3.92%，今年来涨幅下跌-41.94%，最新报84.010元，市盈率为123.54。

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　　5、长川科技(300604)：公司主要从事集成电路专用设备的研发、生产和销售。11月24日开盘最新消息，长川科技今年来涨幅上涨7.26%，截至收盘，该股涨0.81%报54.430元 。

　　6、拓荆科技(688072)：公司从事半导体器件制造、集成电路封装测试的研发、生产、销售。拓荆科技-U(688072)涨1.93%，报234.200元，成交额3.46亿元，换手率5.29%，振幅涨1.93%。

　　7半导体、扬杰科技(300373)：公司从事高性能石英玻璃材料。11月24日开盘消息，扬杰科技今年来涨幅下跌-15.52%，最新报57.530元，成交额4.02亿元。

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　　8、菲利华(300395)：公司业务有激光加工及自动化系统集成设备制造。11月24日消息，菲利华截至下午三点收盘，该股报56.870元，涨0.49%，3日内股价下跌0.97%，总市值为288.29亿元。

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　　9、大族激光(002008)：公司主要从事半导体集成电路封装测试。11月24日开盘消息，大族激光今年来涨幅下跌-92.15%，最新报27.000元，成交额2.49亿元。

　　单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶硅的设备。在实际生产单晶硅过程中，它扮演着控制硅晶体的温度和质量的关键作用。

　　由于单晶直径在生长过程中可受到温度、提拉速度与转速、坩埚跟踪速度、保护气体流速等因素影响，其中生产的温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知，单晶炉主要控制的方面包括晶体直径、硅功率控制、泄漏率和氩气质量等。

　　气相外延炉主要是为硅的气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体。外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。

　　气相外延炉能够为单晶沉底实现功能化做基础准备，气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。

　　硅与含有氧化物质的气体，例如水汽和氧气在高温下进行化学反应，而在硅片表面产生一层致密的二氧化硅薄膜，这是硅平面技术中一项重要的工艺。氧化炉的主要功能是为硅等半导体材料进行氧化处理雷火竞技，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。

　　磁控溅射是物理气相沉积的一种，一般的溅射法可被用于制备半导体等材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。在硅晶圆生产过程中，通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。

　　一种进行化学机械研磨的机器，在硅晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻技术对晶圆表面的平坦程度的要求越来越高，IBM公司于1985年发展CMOS产品引入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中，1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。

　　化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。在实际制造中，它主要的作用是通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体(半导体)进行研磨抛光。

　　又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，常用的光刻机是掩膜对准光刻，一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。