半导体设备除光刻机外国产芯片设备替代突雷火竞技破三成海外芯片行业后悔莫及

　　2023年除了中国芯片大举替代进口之外，在芯片设备行业也在加快国产替代，业界预估2023年中国芯片制造行业除了光刻机之外，其他芯片设备的国产替代率已超过三成，而且这种替代趋势将不可逆转。

　　这几年美国除了在芯片方面限制对中国供应之外，在芯片设备方面也多方阻挠，其中最为人所熟知的当属光刻机，美国先是阻止EUV光刻机卖给中国企业，后来又阻止14纳米以下的DUV光刻机，再之后连28纳米以下的光刻机也不行了。

　　后来美国又拉拢日本，日本也极为积极，限制了23种芯片设备和材料对中国出口，试图借此卡住中国在芯片制造方面的发展，借此扼杀中国芯片，然而中国芯片设备行业却迎来了几年的快速增长期雷火竞技。

　　中国在刻蚀机、光刻胶、封装等方面都已达到5纳米半导体设备，这是中国进展最快的芯片制造环节，这些相关的企业这几年也取得了年增50%乃至翻倍的业绩，凸显出国内芯片制造企业大举采购国产芯片设备和材料。

　　如今中国在芯片制造方面最后一个技术难关就是光刻机，毕竟光刻机极为复杂雷火竞技，还需要诸多产业链企业配合，ASML制造的EUV光刻机就需要全球5000家企业配合，不过这几年哈工大、上海微电子等研发机构或企业在联合攻关，陆续取得了一些关键技术的突破，假以时日，可以实现7纳米工艺的浸润式光刻机将必然被攻破。

　　芯片制造逐渐达到瓶颈也为中国芯片设备和材料提供了机会，业界都清楚现有的硅基芯片技术极限就是1纳米，而越接近1纳米，工艺进展就越慢，台积电的3纳米量产就被延迟一年，而且量产之后良率也低至55%半导体设备，远无法与此前其他几代芯片制造工艺相比。

　　芯片设备方面也已难以突破，ASML就认为2纳米EUV光刻机将是它最后一代光刻机，它也不知如何进一步突破极限了，这都为中国研发先进的芯片设备和材料提供了时间，由此中国的芯片设备赶上全球先进水平可能性也在加大。

　　中国芯片行业同时也基于现有的设备开发先进工艺，据称某科技企业的7纳米芯片就是国内芯片行业共同努力的结果，以现有的DUV光刻机量产7纳米工艺，甚至近期有消息指中国基于现有设备已开发出5.5纳米工艺。

　　除了继续发展硅基芯片技术之外，中国芯片行业正积极发展量子芯片、光子芯片等技术，这些全新的芯片技术所需要的设备都是空白，中国在这些先进芯片设备方面更是与全球站在同一起跑线上，合肥本源量子就指出它研发的量子芯片所有的芯片设备都是自研，这些先进芯片技术一旦商用，中国芯片行业更将完全无需海外的芯片设备。

　　可以说美国这几年的施压，固然给中国芯片行业带来压力，但是同时也是促进技术发展的动力，在这种巨大的压力下，中国芯片行业这几年迸发出巨大的能量，所取得的进展超过了过去20年间的成就，促进了国产芯片的自立自强。返回搜狐，查看更多雷火竞技雷火竞技雷火竞技