意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬造技术雷火竞技

　　IT之家 12 月 22 日消息，意法半导体 (简称 ST) 和半导体材料设计制造公司 Soitec 宣布了下一阶段的碳化硅 (SiC) 衬底合作计划，由意法半导体在今后 18 个月内完成对 Soitec 碳化硅衬底技术的产前认证测试雷火竞技。此次合作的目标是意法半导体采用 Soitec 的 SmartSiC 技术制造未来的 8 英寸碳化硅衬底，促进公司的碳化硅器件和模块制造业务，并在中期实现量产。

　　碳化硅 (SiC) 是一种颠覆性的化合物半导体材料，在电动汽车雷火竞技和工业制程领域重要的高增长功率应用中，碳化硅材料的固有性质令碳化硅器件的性能和能效优于硅基半导体。IT之家了解到，碳化雷火竞技硅可以实现更高效的电源转换、更紧凑的轻量化设计，并节省整体系统设计成本 —— 所有这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和要素。从 6 英寸晶圆升级到 8 英寸晶圆，可以使制造集成电路的可用面积增加几乎一倍雷火竞技，每个晶圆上的有效出片量达到升级前的 1.8-1.9 倍，因此大幅增加产能。

　　SmartSiC 是 Soitec 的专有技术，基于 Soitec 专有的 SmartCut 技术，从高质量碳化硅供体晶圆上切下一个薄层，将其粘合到待处理的低电阻多晶硅晶圆片表面。如此加工后的衬底可有效提高芯片的性能和制造良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可以多次重复使雷火竞技用，因此可以大幅降低供体加工的总能耗。