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中国半导体技术狂追猛进美方加深技术管制或破坏供应链平衡!

发布日期:2023-07-01 06:58 浏览次数:

  雷火竞技雷火竞技雷火竞技台媒:中国半导体技术狂追猛进,美方加深技术管制或破坏供应链平衡!中俄伊高科技串联,美日荷齐围堵!

  台媒今天(11日)刊发报道称,中国陆的半导体产业在尖端领域提升实力,2月举行的ISSCC国际学会上的入选论文大幅上升至近3成,首次超越美韩跃居首位。 日媒分析称,随着中国半导体技术迅猛推进,加深了美国的危机感,将使美中对立加剧,正在摆脱混乱的全球半导体供应链可能再次加深裂痕。

  据《日经中文网》报道,在2月举行被誉为“半导体奥林匹克”的国际固态电路研讨会上,入选的中国半导体技术论文占有的份额达到29.8%,与2022年的14.5%相比大幅上升,也超越美韩而跃居首位。 在影响中长期技术开发能力的基础研究领域上,中国半导体的实力也在稳步提高。报道说,从材料到制造设备,半导体均需要高度的产业积累,中国在制造和设计方面起步晚,但采用各领域龙头企业技术的陆企持续增加。 其中最具代表性案例是用于长期存储的NAND存储卡领域,原先由韩国三星电子、日本的铠侠(KIOXIA)和美国美光科技等领先,但中国的长江存储科技(YMTC)在技术方面已迅速追赶上来。据加拿大调查公司TechInsights在11月的报告中表示,作为200层以上的产品,我们确认到第一个生产的是长江存储。 虽然被认为存在盈利性等问题,但在技术层面,长储已跟上领先阵营。在承担高速运算处理的逻辑芯片领域与在人工智能等不可或缺的GPU(图形处理器)领域,大陆壁仞科技(BIRENTECH)8月推出新产品,已具备与美国英伟达A100相比超过2倍速度的性能。报道认为,在晶圆代工方面,大陆中芯国际(SMIC)采用7nm技术的产品已获得确认,这已追赶至最尖端量产产品3nm落后2代的地步。 整体而言,面对从研究开发到电路设计、制造能力,在半导体尖端技术上开始跃进的中国大陆,美国的危机意识正在快速提高。从去年开始,美国将技术世代14-16nm以下的逻辑芯片、层数128层以上的NAND内存卡等、制造尖端半导体所需的设备列为出口限制对象,美国籍技术人员在当地参与芯片制造也被禁止,支撑中国半导体企业的技术人员也已撤离。 半导体电路设计不可或缺的EDA软件也列入管制。 业内人士表示,如果中国企业无法利用使用这些设备与工具,将在尖端领域落后近10年。 而相关的限制也扩大到日本荷兰企业,美国已分别与他们达成对中技术管制协议。

  2022年10月以后,美国企业限制对中国大陆出口和撤走美国籍技术人员,致使大陆尖端半导体企业的运作陷入停滞。 日本半导体制造设备协会(SEAJ)的负责人表示,2023年1月以后对中国出口显著减少,目前仍看不到对华管制的妥协点。

  报道分析称,中美对立激化蕴含半导体供应链不稳定的风险,实际上世界对中国半导体产业的依存度不低,如果是非尖端产品,中国的芯片制造能力被认为掌握近2成份额。 在汽车、家电和工业设备等广泛产品使用的芯片领域,中国则是不可或缺的供应商。 如果美中对立激化,有可能波及成熟产品的领域,因新冠疫情而产生混乱的半导体供应链将会处于危险的平衡之上。

  台媒另一篇报道指出,美日荷分进合击围堵中俄伊朗高科技串联。 美国美东时间9日公布经济制裁中国5家企业及1个人,疑向伊朗提供制造被用来攻击油轮并出口给俄罗斯入侵乌克兰无人机零组件。 日本则将半导体、蓄电池等9领域核心行业增列为外国投资时须筛选清单。 荷兰则是在宣布禁止芯片输中后,对中方不满荷方一事,表示可以理解。(图片来源:新华社)

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