您现在所在位置: 雷火竞技 > 雷火新闻

雷火竞技

Company information

行业动态

Industry dynamics

常见问题

Common Problem

雷火竞技半导体的基础知识

发布日期:2024-04-15 03:41 浏览次数:

  ”是一种特性介于“导体”和“绝缘体”之间的物质,前者像金属一样导电,后者几乎不导电。

  硅(Si)和锗(Ge)是众所周知的半导体材料。当它们是纯晶体时,这些物质接近绝缘体(本征半导体),但是掺杂少量的掺杂剂就会导致电阻大幅度下降,变成导体。

  由几种元素制成的半导体称为化合物半导体,它们与硅半导体等由单一元素制成的不同。具体组合有元素周期表第III组和第V组雷火竞技、第II组和第VI组、第IV组等。

  n型半导体是指以磷雷火竞技(P)、砷(As)或锑(Sb)作为杂质进行掺杂的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子,第V组的磷有五个价电子。如果在纯硅晶体中加入少量磷,磷的一个价电子就可以作为剩余电子自由移动(自由电子*)。当这个自由电子被吸引到“+”电极上并移动时,就产生了电流流动。

  p型半导体是指掺杂了硼(B)或铟(In)的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子半导体,第III组的硼有三个价电子。如果将少量硼掺杂到硅单晶中,在某个位置上的价电子将不足以使硅和硼键合,从而产生了缺少电子的空穴*。在这种状态下施加电压时,相邻的电子移动到空穴中,使得电子所在的地方变成一个新的空穴,这些空穴看起来就像按顺序移动到“–”电极一样。

  除了硅,还有结合了第III组和第V组元素以及第II组和第VI组元素的化合物半导体。例如,GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)、InGaAlP(磷化铝镓铟)等通常用于高频器件和光学器件。

  近年来,InGaN(氮化铟镓)作为蓝光LED和激光二极管的材料引起了人们的广泛关注,SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)作为功率半导体材料也得到了一定程度上的关注和商业化。

  p型和n型半导体键合时,作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子,所以它被称为耗尽层,与绝缘雷火竞技体的状态相同。

  在这种状态下,将“+”极连接到p型区,将“-”极连接到n型区半导体,并施加电压使得电子从n型区顺序流动到p型区。电子首先会与空穴结合而消失,但多余的电子会移动到“+”极,这样就产生了电流流动。

  随着应用领域的扩大和电子设备的发展,各种半导体器件得到了不断开发。“分立半导体”是指具有单一雷火竞技功能的单个器件,比如晶体管和二极管。“集成电路IC)”是指在一个芯片上安装有多个功能元件的器件。典型IC包括存储器、微处理器(MPU)和逻辑IC。LSI则提高了IC的集成度。按一般功能/结构,具体分类如下所示。

  文章出处:【微信号:深圳市赛姆烯金科技有限公司,微信公众号:深圳市赛姆烯金科技有限公司】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

  中的电子和空穴是成对产生的;当电子和空穴相遇“复合”时,也成对消失;电子和空穴都是载流子温度越高,

  二极管的特性及主要参数 1.3二极管电路的分析方法 1.3特殊二极管1.3

  在我们的日常生活中,经常看到或用到各种各样的物体,它们的性质是各不相同的。有些物体,如钢

  (详细篇) 2.1.1 概念 根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分

  (详细篇) /

  和门电路课件免费下载 /

  如果电阻是电气或电子电路中最基本的无源元件,那么我们必须将信号二极管视为最基本的有源元件。

  盘点 /

  和绝缘体中雷火竞技,价带和导带由足够宽度的禁止能隙(Eg)隔开,费米能(Ef)在价带和导带之间。为了到达导带,电子必须获得足够的能量以跳过带隙。一旦完成,就可以进行自由移动。

  和绝缘体之间和绝缘体之间)),如如硅硅((SiSi))、锗锗((GeGe))。¾

  AMD自适应计算加速平台之GTYP收发器误码率测试IBERT实验(6)

  【Longan Pi 3H 开发板试用连载体验】给ChatGPT装上眼睛,并且还可以语音对线,项目开发环境搭建

  【Longan Pi 3H 开发板试用连载体验】给ChatGPT装上眼睛,并且还可以语音雷火竞技对线,系统基础配置

020-88888888