雷火竞技半导体的基础知识

　　”是一种特性介于“导体”和“绝缘体”之间的物质，前者像金属一样导电，后者几乎不导电。

　　硅(Si)和锗(Ge)是众所周知的半导体材料。当它们是纯晶体时，这些物质接近绝缘体(本征半导体)，但是掺杂少量的掺杂剂就会导致电阻大幅度下降，变成导体。

　　由几种元素制成的半导体称为化合物半导体，它们与硅半导体等由单一元素制成的不同。具体组合有元素周期表第III组和第V组雷火竞技、第II组和第VI组、第IV组等。

　　n型半导体是指以磷雷火竞技(P)、砷(As)或锑(Sb)作为杂质进行掺杂的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子，第V组的磷有五个价电子。如果在纯硅晶体中加入少量磷，磷的一个价电子就可以作为剩余电子自由移动(自由电子*)。当这个自由电子被吸引到“+”电极上并移动时，就产生了电流流动。

　　p型半导体是指掺杂了硼(B)或铟(In)的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子半导体，第III组的硼有三个价电子。如果将少量硼掺杂到硅单晶中，在某个位置上的价电子将不足以使硅和硼键合，从而产生了缺少电子的空穴*。在这种状态下施加电压时，相邻的电子移动到空穴中，使得电子所在的地方变成一个新的空穴，这些空穴看起来就像按顺序移动到“–”电极一样。

　　除了硅，还有结合了第III组和第V组元素以及第II组和第VI组元素的化合物半导体。例如，GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)、InGaAlP(磷化铝镓铟)等通常用于高频器件和光学器件。

　　近年来，InGaN(氮化铟镓)作为蓝光LED和激光二极管的材料引起了人们的广泛关注，SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)作为功率半导体材料也得到了一定程度上的关注和商业化。

　　p型和n型半导体键合时，作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘雷火竞技体的状态相同。

　　在这种状态下，将“+”极连接到p型区，将“-”极连接到n型区半导体，并施加电压使得电子从n型区顺序流动到p型区。电子首先会与空穴结合而消失，但多余的电子会移动到“+”极，这样就产生了电流流动。

　　随着应用领域的扩大和电子设备的发展，各种半导体器件得到了不断开发。“分立半导体”是指具有单一雷火竞技功能的单个器件，比如晶体管和二极管。“集成电路IC)”是指在一个芯片上安装有多个功能元件的器件。典型IC包括存储器、微处理器(MPU)和逻辑IC。LSI则提高了IC的集成度。按一般功能/结构，具体分类如下所示。

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　　中的电子和空穴是成对产生的;当电子和空穴相遇“复合”时,也成对消失；电子和空穴都是载流子温度越高,

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　　和绝缘体中雷火竞技，价带和导带由足够宽度的禁止能隙（Eg）隔开，费米能（Ef）在价带和导带之间。为了到达导带，电子必须获得足够的能量以跳过带隙。一旦完成，就可以进行自由移动。

　　和绝缘体之间和绝缘体之间）），如如硅硅（（SiSi））、锗锗（（GeGe））。¾

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