据研究机构Knometa Research发布的全球晶圆产能报告分析,到2022年底,三星、美光、SK海力士三大存储半导体制造商合计拥有前沿制程产能的76%,其中绝大部分用于先进DRAM和3D NAND生产。
根据该机构的划分标准,前沿产能包括代工厂3-6nm、英特尔4-7nm、DRAM厂商11-14nm、NAND厂商大于176层3D NAND;其余前道IC制造产能又按「次前沿」制程(代工7-16nm)、成熟制程(20nm-0.11µm)、大线微米以上工艺)进行分类。
报告还显示,到2022年底,三星是业界前沿和次前沿产能的最大拥有者。该公司是业界最大的DRAM和NAND闪存产品供应商,也是低功耗等先进逻辑产品的最大制造商之一。
韩国贸易、工业和能源部3月1日宣布,韩国2月的出口和进口分别为501亿美元和554亿美元。出口额同比下降了7.5%,进口额则比一年前增加了3.6%。
特别值得注意的是,韩国2月的半导体出口总额为59.6亿美元,同比暴降42.5%,降幅特别突出。不过,同期韩国石油化工、钢铁、船舶、显示器和生物技术及保健品出口也很低迷,连续12个月保持亏损。今年前两个月,韩国贸易逆差达179.6亿美元,金额相当于2022年总逆差的38%。
韩国对中国的出口已是连续第9个月下降,2月下降24.2%至98.8亿美元。
韩国KBS电视台2日的报道指出,「美国政府公布芯片补贴细则,韩企在中美之间左右为难」,对韩国企业而言,美中两国均为十分重要的市场。
三星电子西安芯片工厂生产40%的NAND闪存芯片,SK海力士将近一半的DRAM产量和约20%的NAND闪存产量也来自中国工厂。
美国日前公布的芯片补贴细则规定,禁止相关企业对中国的特定投资,韩国企业将不得不调整生产策略。KBS报道指出,细则明确提出,若接受补贴的企业与中国进行联合研究或技术合作,就必须全额退还补贴,这意味着韩国企业将无法在中国生产更高端的芯片。
韩国产业通商资源部1日就美国《芯片与科学法》限制企业投资中国的护栏条款表示,将与美国有关部门磋商,争取充分反映韩国企业的立场。
据《日经新闻》网报道,需求疲弱库存增、厂商降价出售,拖累2月份DRAM价格连10个月下滑。
在智能手机、PC上用于暂时储存数据的DRAM价格续跌,主因通胀导致PC等产品销售不振,加上忧心景气放缓、IT大厂抑制数据中心投资,拖累DRAM需求疲弱、库存增加。2023年2月份指标性产品DDR4 8Gb批发价为每个1.60美元左右,较前一个月份(2023年1月)下跌6%;容量较小的4Gb产品价格为每个1.30美元左右,较前一个月份下跌7%。
8Gb、4Gb价格皆为连续第10个月下滑,且和去年同月相比皆大减48%。旧世代品DDR3 4Gb批发价为每个1.20美元左右、较前一个月份下跌8%。DRAM批发价格为存储厂商和客户间每个月或每季敲定一次。
报道指出,库存增加的存储厂商为了缩减库存、降价出售,据悉逐月调降对客户的报价。据电子产品商社干部指出,「特别是韩国厂商的销售压力大」。
据研调机构显示,2022 年第四季DRAM产业营收122.8亿美元,季跌32.5%,跌幅甚至超越第三季的28.9%,已逼近2008年底金融危机时的单季36%跌幅,主要下跌原因是受DRAM产品平均销售单价(ASP)下跌影响。由于去年第三季起客户拉货急冻,DRAM供应商的库存快速堆积,因此为抢占第四季的出货市占率,供应商议价态度更为积极,其中又以Server DRAM跌幅最剧,2022年第四季DDR4价格季跌23~28%;DDR5价格季跌扩大至30~35%。
营收方面,三星、SK海力士、美光营收均明显下滑,在第四季的价格战中,三星让价态度最为积极,因此在需求衰退之际,出货不减反增,尽管营收金额来到55.4亿美元,季跌25.1%,衰退幅度是三大原厂中最低。SK海力士营收34.0亿美元,季跌35.2%,由于适逢2022年财报年底,韩厂积极加大出货力道,但因产品价格跌幅剧烈,使得营收面临衰退。美光28.3亿美元,季跌41.2%,因财报区间早于其他供应商,出货量跌幅较大,故营收衰减幅度为众原厂之中最剧。受营收剧跌影响,各原厂去年第四季营业利益率快速下跌,预期2023年第一季将由正转负。
产能规划方面,三星Line15因优化旧制程产线,投片小幅下滑,产能扩张重心集中在新完工的P3L,今年第一季已开始小量试产,是支撑今年总投片量扩增的主力。SK海力士在去年第四季宣布减产,今年第一季稼动率为92%,预期第二季会进一步下滑至82%,其减产较大规模发生于中国无锡厂,位于南韩的M16产线为先进制程,故维持原先小幅增产计画。美光于日本与台湾同步减产,产能稼动率为84%,2023全年将维持相同水位,新制程1beta 奈米已于美光日本厂量产,台湾厂将于今年中开始投片,下半年量产。
台厂方面,南亚科出货仅小幅下滑,但受到合约价下跌影响,2022年第四季营收衰退达30%,主流制程停留在20奈米,1A奈米产出贡献少,营业利益率来到-19%,并于去年第四季起开始减产,稼动率约为70%。力积电营收计算主要为其自身生产之标准型DRAM产品而不包含DRAM代工业务,DRAM营收衰退约39.5%,Consumer DRAM客户仍在库存去化阶段,买气尚未回温,但若加计代工营收则衰退27.4%。华邦电,其KGD(良裸晶粒)出货占比高,2022下半年面临客户库存调节,出货持续下滑,第四季营收衰退为30.3%,目前华邦电台中Fab6厂稼动率约为50%,而高雄KH厂已开始小量试产,制程为25S奈米,20奈米亦同步开发,预计年中开始投产。
据彭博社报道,芯片高库存水位是目前半导体产业最头痛的课题,而韩国也深受其害。根据韩国统计局的资料显示,韩国半导体1月库存水位飙升速度是近27年来最快的一次,而科技产业景气的修正也拖累韩国整体经济成长表现。
韩国半导体1 月库存水位比前一个月上升了28%,如果与前一年的数据相比,库存水位大幅上升了39.5%。这对于依赖芯片制造商的韩国经济而言,可不是一项好消息,因韩国前一个月的出口值中,芯片制造就占了12%。
回顾去年第四季韩国的经济表现,受到半导体需求大幅滑落冲击,已呈衰退状态。然而,各国央行预料将维持高利率,再加上地缘政治的影响,恐为芯片需求复苏带来更多不确定性,而韩国经济也将持续面临出口衰退等诸多挑战。
据韩媒《每日经济新闻》报道,美国芯片制造补贴申请准则显示,给予的直接资金补助将占计划预期总支出5%至15%,以此推算,三星有望获得26亿美元(约179.8亿人民币)补助,台积电的补助款可望上看60亿美元(约414.92亿人民币)。
业界分析,美方补助对台积电等已保持技术领先且获利的厂商而言,堪称「象征意义大于实际意义」。
报道称,美国商务部根据芯片与科学法而发布的资金机会通知(NOFO)显示,美方补助将透过直接发放资金、贷款以及贷款担保。直接发放资金通常占整体计划支出的5%至15%,贷款和贷款担保则无金额上限,前提是不超过整体支出的35%。以上述比率计算,三星在泰勒市投资170亿美元建厂,预计将获得8.5亿美元至26亿美元直接补助,若涵盖贷款和贷款担保,补助额达59.5亿美元。台积电砸400亿美元赴美设厂,获得的直接补助可能介于20亿美元至60亿美元。
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